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Influence of Electrodes on the Parameters of Solar-Blind Detectors of UV Radiation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-03, Vol.55 (3), p.341-345
2021
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Structure and Properties of Gallium-Oxide Films Produced by High-Frequency Magnetron-Assisted Deposition
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-03, Vol.53 (3), p.388-394
2019
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Ammonia sensors based on resistive structures M-SnO2:Sb-M
Journal of physics. Conference series, 2020, Vol.1499 (1)
2020
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Solar-Blind UV Detectors Based on β-Ga2O3 Films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-06, Vol.54 (6), p.682-686
2020
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The Effect of Operating Modes on the Response of Ammonia Sensors Based on Tin Dioxide Films
Technical physics letters, 2020-05, Vol.46 (5), p.480-483
2020
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Influence of the Substrate Material on the Properties of Gallium-Oxide Films and Gallium-Oxide-Based Structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-04, Vol.53 (4), p.452-457
2019
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Effect of Ultraviolet Radiation and Electric Field on the Conductivity of Structures Based on α- and ε-Ga2O3
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-10, Vol.54 (10), p.1224-1229
2020
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Photoelectrical characteristics of TiO2-N-SI heterostructures
Microwave and optical technology letters, 2016-05, Vol.58 (5), p.1113-1116
2016
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Conductivity of Ga2O3–GaAs Heterojunctions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-02, Vol.52 (2), p.143-149
2018
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Properties of Resistive Structures Based on Gallium Oxide Polymorphic Phases
Technical physics letters, 2020-09, Vol.46 (9), p.867-870
2020
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Anodic Gа2O3 Films Obtained by Oxidation of n-GaAs Plates in Galvanostatic Mode
Russian physics journal, 2020-09, Vol.63 (5), p.882-887
2020
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Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering
Russian physics journal, 2018-03, Vol.60 (11), p.1911-1916
2018
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Electrophysical Characteristics of the Pentacene-based MIS Structures with a SiO2 Insulator
Russian physics journal, 2019-05, Vol.62 (1), p.90-99
2019
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Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO2–Si structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-09, Vol.50 (9), p.1156-1162
2016
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Stability of Electrical Characteristics of MOS Structures Based on Gallium Oxide
Russian physics journal, 2016-10, Vol.59 (6), p.757-761
2016
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Photoelectrical characteristics of Ga2O3-GaAs structures
Journal of physics. Conference series, 2014, Vol.541 (1)
2014
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Photoelectrical properties of TiO2-Si structures
Journal of physics. Conference series, 2014, Vol.541 (1)
2014
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Hydrogen influence on electrical properties of Pt-contacted α -Ga 2 O 3 / ϵ -Ga 2 O 3 structures grown on patterned sapphire substrates
Journal of physics. D, Applied physics, 2020-10, Vol.53 (41), p.414004
2020
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Hydrogen influence on electrical properties of Pt-contacted α-Ga2O3/ -Ga2O3 structures grown on patterned sapphire substrates
Journal of physics. D, Applied physics, 2020-10, Vol.53 (41)
2020
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Effect of Thermal Annealing on Properties Ga2O3/GaAs:Cr Heterostructures
Technical physics, 2024-06, Vol.69 (6), p.1584-1589
2024
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Ammonia sensors based on resistive structures M–SnO 2 :Sb–M
Journal of physics. Conference series, 2020-03, Vol.1499 (1), p.12037
2020
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Solar-Blind UV Detectors Based on [beta]-Ga.sub.2O.sub.3 Films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-06, Vol.54 (6), p.682
2020
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Conductivity of Ga{sub 2}O{sub 3}–GaAs Heterojunctions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-02, Vol.52 (2)
2018
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Conduction mechanism of metal-TiO2–Si structures
Chinese journal of physics (Taipei), 2017-02, Vol.55 (1), p.59-63
2017
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Effect of chalcogenide elements on the electrical characteristics of GaAs MIS structures
Solid-state electronics, 1999-03, Vol.43 (3), p.583-588
1999
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