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Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-09, Vol.51 (9), p.1133-1135
2017
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Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of
Physics of the solid state, 2016-12, Vol.58 (12), p.2499
2016
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Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions
Physics of the solid state, 2016-12, Vol.58 (12), p.2499-2502
2016
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Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-02, Vol.50 (2), p.240-243
2016
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Temperature dependences of the photoluminescence intensities of centers in silicon implanted with erbium and oxygen ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-12, Vol.49 (12), p.1651-1654
2015
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Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-02, Vol.50 (2), p.249-251
2016
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Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated p-Si
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-02, Vol.50 (2), p.252-256
2016
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Luminescent and Structural Properties of Electron-Irradiated Silicon Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence
Materials today : proceedings, 2018, Vol.5 (6), p.14772-14777
2018
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Photoluminescence in silicon implanted with erbium ions at an elevated temperature
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-08, Vol.45 (8), p.1006-1008
2011
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Photoluminescence in silicon implanted with silicon ions at amorphizing doses
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-09, Vol.45 (9), p.1140-1144
2011
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