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Demonstration of gallium oxide nano-pillar field emitter arrays
AIP advances, 2023-07, Vol.13 (7), p.075119-075119-7
2023
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Design of Transistors Using High-Permittivity Materials
IEEE transactions on electron devices, 2019-02, Vol.66 (2), p.896-900
2019
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β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with 4.1 MV/cm field strength by deep plasma etching field-termination
Applied physics letters, 2022-11, Vol.121 (20)
2022
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Metal/BaTiO3/β-Ga2O3 dielectric heterojunction diode with 5.7 MV/cm breakdown field
Applied physics letters, 2019-12, Vol.115 (25)
2019
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Integration of high permittivity BaTiO3 with AlGaN/GaN for near-theoretical breakdown field kV-class transistors
Applied physics letters, 2021-11, Vol.119 (19)
2021
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β-Ga2O3 trench Schottky diodes by low-damage Ga-atomic beam etching
Applied physics letters, 2023-07, Vol.123 (2)
2023
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Mechanism of Si doping in plasma assisted MBE growth of β-Ga2O3
Applied physics letters, 2019-10, Vol.115 (15)
2019
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Demonstration of MOCVD based in situ etching of β-Ga2O3 using TEGa
Journal of applied physics, 2024-02, Vol.135 (7)
2024
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Publisher's Note: “β-Ga2O3 trench Schottky diodes by low-damage Ga-atomic beam etching” [Appl. Phys. Lett. 123, 023503 (2023)]
Applied physics letters, 2023-09, Vol.123 (10)
2023
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β-Ga2O3 MESFETs with insulating Mg-doped buffer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2022-09, Vol.121 (11)
2022
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Planar and three-dimensional damage-free etching of β-Ga2O3 using atomic gallium flux
Applied physics letters, 2021-09, Vol.119 (12)
2021
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High-Current Perovskite Oxide BaTiO3/BaSnO3 Heterostructure Field Effect Transistors
IEEE electron device letters, 2020-04, Vol.41 (4), p.621-624
2020
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Plasma-assisted deposition and characterization of Al2O3 dielectric layers on (001) β-Ga2O3
Applied physics letters, 2023-08, Vol.123 (8)
2023
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β-(Al0.18Ga0.82)2O3/Ga2O3 Double Heterojunction Transistor With Average Field of 5.5 MV/cm
IEEE electron device letters, 2021-06, Vol.42 (6), p.899-902
2021
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High electron density β-(Al0.17Ga0.83)2O3/Ga2O3 modulation doping using an ultra-thin (1 nm) spacer layer
Journal of applied physics, 2020-06, Vol.127 (21)
2020
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Atomic scale investigation of aluminum incorporation, defects, and phase stability in β-(AlxGa1−x)2O3 films
APL materials, 2021-05, Vol.9 (5), p.051103-051103-8
2021
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  • BibTeX
Point Defects and Alloy Incorporation in Ultrawide Bandgap β-(AlxGa1-x)2O3 Films
Microscopy and microanalysis, 2021-08, Vol.27 (S1), p.2140-2142
2021
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High-permittivity dielectric edge termination for vertical high voltage devices
Journal of computational electronics, 2020-12, Vol.19 (4), p.1538-1545
2020
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beta -Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz
IEEE electron device letters, 2019-07, Vol.40 (7), p.1052-1055
2019
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Integration of high permittivity BaTiO3 with AlGaN/GaN for near-theoretical breakdown field kV-class transistors
Applied physics letters, 2021-11, Vol.119 (19)
2021
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Electrostatic Engineering Using Extreme Permittivity Materials for Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2021-01, Vol.68 (1), p.29-35
2021
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β-Ga2O3 MESFETs with insulating Mg-doped buffer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2022-09, Vol.121 (11)
2022
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β-(Al 0.18 Ga 0.82 ) 2 O 3 /Ga 2 O 3 Double Heterojunction Transistor With Average Field of 5.5 MV/cm
IEEE electron device letters, 2021-06, Vol.42 (6), p.899-902
2021
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Demonstration of self-aligned β-Ga2O3 δ-doped MOSFETs with current density >550 mA/mm
Applied physics letters, 2023-03, Vol.122 (11)
2023
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Nanoscale etching of perovskite oxides for field effect transistor applications
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2020-01, Vol.38 (1)
2020
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