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AlGaN/GaN two-dimensional-electron gas heterostructures on 200 mm diameter Si(111)
Applied physics letters, 2012-08, Vol.101 (8), p.82110
2012
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Charge transport in lightly reduced graphene oxide: A transport energy perspective
Journal of applied physics, 2013-02, Vol.113 (6)
2013
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Formation of Ni Diffusion-Induced Surface Traps in GaN/AlxGa1−xN/GaN Heterostructures on Silicon Substrate During Gate Metal Deposition
Journal of electronic materials, 2016, Vol.45 (1), p.493-498
2016
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Formation of Ni Diffusion-Induced Surface Traps in GaN/Al^sub x^Ga^sub 1-x^N/GaN Heterostructures on Silicon Substrate During Gate Metal Deposition
Journal of electronic materials, 2016-01, Vol.45 (1), p.493
2016
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Vibrational excitations in molecular layers probed by ballistic electron microscopy
Nanotechnology, 2011-10, Vol.22 (43), p.435701-1-6
2011
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Silicon on insulator nanoscale backside interconnects for atomic and molecular scale circuits
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2010-09, Vol.28 (5), p.978-984
2010
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Investigation on the Impact Ionization Breakdown Onset of Double-Gate MOSFET Structure with Optimized Hydrodynamic Model via Full-Band Monte Carlo Method
2008 8th IEEE Conference on Nanotechnology, 2008, p.386-387
2008
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On the Impact Ionization of Double-Gate MOSFET Using Full Band Monte Carlo Method
2008 8th IEEE Conference on Nanotechnology, 2008, p.335-338
2008
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Gate Leakage Analysis of Nano-MOSFETs using Ensemble Full Band Monte Carlo with Quantum Correction
2007 International Symposium on Integrated Circuits, 2007, p.135-138
2007
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Computation of Direct Tunneling gate leakage currents in nano-MOSFETs using ensemble Full Band Monte Carlo with quantum correction
2007 7th IEEE Conference on Nanotechnology (IEEE NANO), 2007, p.76-80
2007
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