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A New Accelerated Endurance Test for Terabit NAND Flash Memory Using Interference Effect
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2015-08, Vol.28 (3), p.399-407
2015
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13.2 A 32Gb 8.0Gb/s/pin DDR5 SDRAM with a Symmetric-Mosaic Architecture in a 5th-Generation 10nm DRAM Process
2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2024, Vol.67, p.234-236
2024
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Notch intracellular domain deficiency in nuclear localization activity retains the ability to enhance neural stem cell character and block neurogenesis in mammalian brain development
Stem cells and development, 2014-12, Vol.23 (23), p.2841
2014
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