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Surface morphology evolution and underlying defects in homoepitaxial growth of GaAs (110)
Journal of alloys and compounds, 2021-09, Vol.874, p.159848, Article 159848
2021
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Low-Temperature Material Stacking of Ultrathin Body Ge (110)-on-Insulator Structure via Wafer Bonding and Epitaxial Liftoff From III–V Templates
IEEE transactions on electron devices, 2018-03, Vol.65 (3), p.1253-1257
2018
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Double-gated ultra-thin-body GaAs-on-insulator p-FETs on Si
APL materials, 2018-01, Vol.6 (1), p.016103-016103-8
2018
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Highly Stable Self-Aligned Ni-InGaAs and Non-Self-Aligned Mo Contact for Monolithic 3-D Integration of InGaAs MOSFETs
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2019, Vol.7, p.869-877
2019
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Heterogeneous Integration Toward a Monolithic 3-D Chip Enabled by III-V and Ge Materials
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2018-01, Vol.6, p.579-587
2018
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Vertical homo-junction In Ga As tunneling field-effect transistors with minimum subthreshold swing of 52 mV/decade
Solid-state electronics, 2022-11, Vol.197, p.108447, Article 108447
2022
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Vertical homo-junction In0.53Ga0.47As tunneling field-effect transistors with minimum subthreshold swing of 52 mV/decade
Solid-state electronics, 2022-11, Vol.197, Article 108447
2022
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Selective and Sensitive Photon Sieve Based on III–V Semiconductor Nanowire Forest Fabricated by Lithography‐Free Process
Advanced optical materials, 2020-09, Vol.8 (17), p.n/a
2020
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Photon Sieving: Selective and Sensitive Photon Sieve Based on III–V Semiconductor Nanowire Forest Fabricated by Lithography‐Free Process (Advanced Optical Materials 17/2020)
Advanced optical materials, 2020-09, Vol.8 (17), p.n/a
2020
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Anisotropic surface morphology in a tensile-strained InAlAs layer grown on InP(100) substrates
Thin solid films, 2018-03, Vol.649, p.38-42
2018
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A highly controllable doping technique via interdiffusion between epitaxial germanium layers and GaAs
Surfaces and interfaces, 2021-10, Vol.26, p.101390, Article 101390
2021
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Suppressing nonradiative recombination in crown-shaped quantum wells
Japanese Journal of Applied Physics, 2018-03, Vol.57 (3), p.30305
2018
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Heat Shunting by Innovative Source/Drain Contact to Enable Monolithic 3D Integration of InGaAs MOSFETs
2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2018, p.1-2
2018
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Heterogeneous integration toward monolithic 3D chip
2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2017, p.1-2
2017
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