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Two-Dimensional Pattern Formation Using Graphoepitaxy of PS‑b‑PMMA Block Copolymers for Advanced FinFET Device and Circuit Fabrication
ACS nano, 2014-05, Vol.8 (5), p.5227-5232
2014
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Characterizing fluorocarbon assisted atomic layer etching of Si using cyclic Ar/C4F8 and Ar/CHF3 plasma
The Journal of chemical physics, 2017-02, Vol.146 (5), p.052801-052801
2017
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Wafer-scale integration of sacrificial nanofluidic chips for detecting and manipulating single DNA molecules
Nature communications, 2017-01, Vol.8 (1), p.14243-14243, Article 14243
2017
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Fluorocarbon assisted atomic layer etching of SiO2 using cyclic Ar/C4F8 plasma
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2014-03, Vol.32 (2)
2014
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Fluorocarbon assisted atomic layer etching of SiO2 and Si using cyclic Ar/C4F8 and Ar/CHF3 plasma
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2016-01, Vol.34 (1)
2016
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Achieving ultrahigh etching selectivity of SiO2 over Si3N4 and Si in atomic layer etching by exploiting chemistry of complex hydrofluorocarbon precursors
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2018-07, Vol.36 (4)
2018
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Cyclic Cl2/H2 quasi-atomic layer etching approach for TiN and TaN patterning using organic masks
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2017-09, Vol.35 (5)
2017
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Highly selective dry etching of polystyrene-poly(methyl methacrylate) block copolymer by gas pulsing carbon monoxide-based plasmas
Journal of physics. D, Applied physics, 2017-05, Vol.50 (20), p.204001
2017
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The Clinician's Guide to Cognitive-Behavioral Therapy for Childhood Obsessive-Compulsive Disorder
1, 2017
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Exposure Therapy for Children with Anxiety and OCD: Clinician's Guide to Integrated Treatment
1, 2020
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Integrated on-chip inductors with electroplated magnetic yokes (invited)
Journal of applied physics, 2012-04, Vol.111 (7), p.07E732-07E732-6
2012
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Initial evaluation and comparison of plasma damage to atomic layer carbon materials using conventional and low Te plasma sources
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2016-01, Vol.34 (1)
2016
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CMOS-Compatible Self-Aligned In0.53Ga0.47As MOSFETs With Gate Lengths Down to 30 nm
IEEE transactions on electron devices, 2014-10, Vol.61 (10), p.3399-3404
2014
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Spectroscopic study of gas and surface phase chemistries of CF4 plasmas in an inductively coupled modified gaseous electronics conference reactor
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2006-01, Vol.24 (1), p.114-125
2006
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Spacecraft-Charging Mitigation of a High-Power Electron Beam Emitted by a Magnetospheric Spacecraft: Simple Theoretical Model for the Transient of the Spacecraft Potential
Journal of Geophysical Research, 2018, Vol.123, p.6424
2018
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Selective atomic layer etching of HfO2 over silicon by precursor and substrate-dependent selective deposition
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2020-05, Vol.38 (3)
2020
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The Clinician's Guide to Treatment and Management of Youth with Tourette Syndrome and Tic Disorders
1, 2018
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Spectroscopic study of gas and surface phase chemistries of C F 4 plasmas in an inductively coupled modified gaseous electronics conference reactor
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2006-01, Vol.24 (1), p.114-125
2006
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Influence of Bottom Contact Material on the Selective Chemical Vapor Deposition of Crystalline GeSbTe Alloys
MRS proceedings, 2010, Vol.1251 (1), Article 1251-H06-10
2010
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Nitride etching with hydrofluorocarbons III: Comparison of C4H9F and CH3F for low-k′ nitride spacer etch processes
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2018-05, Vol.36 (3)
2018
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Significance of plasma-photoresist interactions for atomic layer etching processes with extreme ultraviolet photoresist
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2020-09, Vol.38 (5)
2020
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Preface for the Festschrift Honoring Dr. Steve Rossnagel
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2020-09, Vol.38 (5)
2020
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Characterizing Fluorocarbon Assisted Atomic Layer Etching of Si Using Cyclic Ar/C4F8 and Ar/CHF3 Plasma
The Journal of chemical physics, 2016-09, Vol.146 (5)
2016
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Nitride etching with hydrofluorocarbons. II. Evaluation of C4H9F for tight pitch Si3N4 patterning applications
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2018-05, Vol.36 (3)
2018
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Nitride etching with hydrofluorocarbons. I. Selective etching of nitride over silicon and oxide materials by gas discharge optimization and selective deposition of fluorocarbon polymer
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2017-09, Vol.35 (5)
2017
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