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Low Voltage Operating 2D MoS2 Ferroelectric Memory Transistor with Hf1-xZrxO2 Gate Structure
Nanoscale research letters, 2020-08, Vol.15 (1), p.157-157, Article 157
2020
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Ferroelectric Negative Capacitance GeSn PFETs With Sub-20 mV/decade Subthreshold Swing
IEEE electron device letters, 2017-08, Vol.38 (8), p.1157-1160
2017
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Recent Progress and Challenges Regarding Carbon Nanotube On-Chip Interconnects
Micromachines (Basel), 2022-07, Vol.13 (7), p.1148
2022
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ZrOx Negative Capacitance Field-Effect Transistor with Sub-60 Subthreshold Swing Behavior
Nanoscale research letters, 2021-02, Vol.16 (1), p.21-21, Article 21
2021
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Comparative Study of Negative Capacitance Ge pFETs With HfZrOx Partially and Fully Covering Gate Region
IEEE transactions on electron devices, 2017-12, Vol.64 (12), p.4838-4843
2017
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Negative Capacitance Ge PFETs for Performance Improvement: Impact of Thickness of HfZrOx
IEEE transactions on electron devices, 2018-03, Vol.65 (3), p.1217-1222
2018
Open Access
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Comparative Study of Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Different MOS Capacitances
Nanoscale research letters, 2019-05, Vol.14 (1), p.171-6, Article 171
2019
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Correlation of Gate Capacitance with Drive Current and Transconductance in Negative Capacitance Ge PFETs
IEEE electron device letters, 2017-10, Vol.38 (10), p.1500-1503
2017
Open Access
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ZrO x Negative Capacitance Field-Effect Transistor with Sub-60 Subthreshold Swing Behavior
Nanoscale research letters, 2021-02, Vol.16 (1), p.1-6
2021
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Enhanced fatigue resistance of ferroelectric Al0.65Sc0.35N deposited by physical vapor deposition
Science China. Information sciences, 2024-05, Vol.67 (5), p.159401, Article 159401
2024
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Review of Si-Based GeSn CVD Growth and Optoelectronic Applications
Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2021-09, Vol.11 (10), p.2556
2021
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Hysteresis Reduction in Negative Capacitance Ge PFETs Enabled by Modulating Ferroelectric Properties in HfZrOx
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2018, Vol.6, p.41-48
2018
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A Modeling Study of Stacked Cu-CNT TSV on Electrical, Thermal, and Reliability Analysis
IEEE transactions on electron devices, 2024-01, Vol.71 (1), p.1-8
2024
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A Modeling Study on Electrical and Thermal Behavior of CNT TSV for Multilayer Structure
IEEE transactions on electron devices, 2023-09, Vol.70 (9), p.4779-4785
2023
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  • BibTeX
Inversion-Type Ferroelectric Capacitive Memory and Its 1-Kbit Crossbar Array
IEEE transactions on electron devices, 2023-04, Vol.70 (4), p.1641-1647
2023
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Demonstration of Ferroelectricity in Al-Doped HfO₂ With a Low Thermal Budget of 500 °C
IEEE electron device letters, 2020-07, Vol.41 (7), p.1130-1133
2020
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  • BibTeX
Voltage Bias Scheme Optimization in FeFET Based Neural Network System
IEEE electron device letters, 2023-09, Vol.44 (9), p.1-1
2023
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  • BibTeX
Characteristics of InAs/GaSb Line-Tunneling FETs With Buried Drain Technique
IEEE transactions on electron devices, 2021-04, Vol.68 (4), p.1537-1541
2021
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A Metal-Insulator-Semiconductor Non-Volatile Programmable Capacitor Based on a HfAlOₓ Ferroelectric Film
IEEE electron device letters, 2020-12, Vol.41 (12), p.1837-1840
2020
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Photoelectric In-Memory Logic and Computing Achieved in HfO2-Based Ferroelectric Optoelectronic Memcapacitors
IEEE electron device letters, 2024-07, Vol.45 (7), p.1357-1360
2024
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Photoelectric In-Memory Logic and Computing Achieved in HfO 2 -Based Ferroelectric Optoelectronic Memcapacitors
IEEE electron device letters, 2024-07, Vol.45 (7), p.1357-1360
2024
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Proposal of Ferroelectric Based Electrostatic Doping for Nanoscale Devices
IEEE electron device letters, 2021-04, Vol.42 (4), p.605-608
2021
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A 6.5 nm thick anti-ferroelectric HfAlO x film for energy storage devices with a high density of 63.7 J cm−3
Journal of physics. D, Applied physics, 2022-01, Vol.55 (1), p.14003
2022
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Integration of Ferroelectric Al0.8Sc0.2N on Si (001) Substrate
IEEE electron device letters, 2024-04, Vol.45 (4), p.574-577
2024
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Depolarization Field Engineered Ferroelectric Mechanical Transistor With 0.3-Volts V DD
IEEE electron device letters, 2023-12, Vol.44 (12), p.2063-2066
2023
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