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Design of a simple and low-cost solid-state ultra-fast high-voltage switch
Review of scientific instruments, 2023-06, Vol.94 (6)
2023
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Simple high-resolution Bradbury–Nielsen mass gate
AIP advances, 2024-03, Vol.14 (3), p.035312-035312-6
2024
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Fourth generation cryogenic neutral cluster beam apparatus for studying fundamental properties of metallic clusters
Review of scientific instruments, 2022-11, Vol.93 (11)
2022
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Structural evolution and electronic properties of pure and semiconductor atom doped in clusters: In n − , In n Si − , and In n Ge − ( n  = 3–16)
Journal of computational chemistry, 2022-11, Vol.43 (29), p.1978-1984
2022
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Structural evolution and electronic properties of pure and semiconductor atom doped in clusters: Inn−, InnSi−, and InnGe− (n = 3–16)
Journal of computational chemistry, 2022-11, Vol.43 (29), p.1978-1984
2022
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Structural evolution and electronic properties of pure and semiconductor atom doped in clusters: Inn - , Inn Si- , and Inn Ge- (n = 3-16)
Journal of computational chemistry, 2022-11, Vol.43 (29), p.1978-1984
2022
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Fabricating ultra-sharp tungsten STM tips with high yield: double-electrolyte etching method and machine learning
SN applied sciences, 2020-07, Vol.2 (7), p.1246, Article 1246
2020
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Assessing urban resilience to public health disaster using the rough analytic hierarchy process method: A regional study in China
Journal of Safety Science and Resilience = An quan ke xue yu ren xing (Ying wen), 2022-06, Vol.3 (2), p.93-104
2022
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Preparation and electrical transport properties of quasi free standing bilayer graphene on SiC (0001) substrate by H intercalation
Applied physics letters, 2014-11, Vol.105 (18)
2014
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Observation of Quantum Hall Effect and weak localization in p-type bilayer epitaxial graphene on SiC(0001)
Solid state communications, 2013-12, Vol.175-176, p.119-122
2013
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Self-aligned graphene field-effect transistors on SiC (0001) substrates with self-oxidized gate dielectric
Journal of semiconductors, 2014-07, Vol.35 (7), p.74006-1-074006-5
2014
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Observation of Quantum Hall Effect and weak localization in p-type bilayer epitaxial graphene on SiC(0001): Graphene V: Recent Advances in Studies of Graphene and Graphene analogues
Solid state communications, 2013, Vol.175-76, p.119-122
2013
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