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Technische Störung

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Investigation of long-term light stability of negative charge injected into oxide-nitride-oxide passivation stack of crystalline silicon solar cells
Journal of applied physics, 2022-12, Vol.132 (21)
2022
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Analysis of the negative charges injected into a SiO2/SiNx stack using plasma charging technology for field‐effect passivation on a boron‐doped silicon surface
Progress in photovoltaics, 2021-01, Vol.29 (1), p.54-63
2021
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Plasma charge injection technology and its application to c-Si solar cells for field-effect passivation
Journal of applied physics, 2019-05, Vol.125 (17)
2019
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Enhanced passivation and stability of negative charge injected SiNx with higher nitrogen content on the boron diffused surface of n-type Si solar cells
Solar energy materials and solar cells, 2024-08, Vol.273, p.112922, Article 112922
2024
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Terminal Crosslinking of Highly Sulfonated Poly(arylene ether sulfone) Block Copolymers: Synthesis and Properties as Polymer Electrolyte Membranes
Bulletin of the Korean Chemical Society, 2015, 36(1), , pp.287-294
2015
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Investigation on Light Stability of Injected Charge in α-SiNx: H by Plasma Charge Injection Technology
2021 IEEE 48th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2021, Vol.2021, p.2119-2123
2021
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Azide-assisted terminal crosslinking of ionomeric blocks: Effects on morphology and proton conductivity
Journal of membrane science, 2012-03, Vol.392, p.58-65
2012
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Plasma charge injection technology and its application to c-Si solar cells for field-effect passivation
Journal of applied physics, 2019-05, Vol.125 (17)
2019
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Experimental evidence for nonlucky electron model effect in 0.15-μm NMOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 2002-11, Vol.49 (11), p.1876-1881
2002
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  • BibTeX
Boron penetration in p+ polycrystalline-Si/Al2O3/Si metal–oxide–semiconductor system
Applied physics letters, 2000-10, Vol.77 (14), p.2207-2209
2000
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  • BibTeX
Investigation of long-term light stability of negative charge injected into oxide-nitride-oxide passivation stack of crystalline silicon solar cells
Journal of applied physics, 2022-12, Vol.132 (21)
2022
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  • BibTeX
A leakage current mechanism caused by the interaction of residual oxidation stress and high-energy ion implantation impact in advanced CMOS technology
IEEE electron device letters, 1999-05, Vol.20 (5), p.251-253
1999
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  • BibTeX
Characterization of Corner-Induced Leakage Current of a Shallow Silicided n + /p Junction for Quarter-Micron MOSFETs
Japanese Journal of Applied Physics, 1998-03, Vol.37 (3S), p.1179
1998
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  • BibTeX
Enhanced passivation and stability of negative charge injected SiNx with higher nitrogen content on the boron diffused surface of n-type Si solar cells
Solar energy materials and solar cells, 2024-08, Vol.273 (C)
2024
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  • BibTeX
DC bias effects on data retention at room temperature in SONOS nonvolatile memory devices
2007 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report, 2007, p.147-149
2007
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  • BibTeX
Impact of Nitrogen Implantation in Lightly Doped Drain (NIL) on Deep Sub-Micron CMOS Devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2000, Vol.39 (4S), p.2141-2146
2000
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  • BibTeX
A 15ns 4Mb NVSRAM in 0.13u SONOS Technology
2008 Joint Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop and International Conference on Memory Technology and Design, 2008, p.83-86
2008
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  • BibTeX
Analysis of the negative charges injected into a SiO 2 /SiN x stack using plasma charging technology for field‐effect passivation on a boron‐doped silicon surface
Progress in photovoltaics, 2021-01, Vol.29 (1), p.54-63
2021
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  • BibTeX
Analysis of the negative charges injected into a SiO2/SiNx stack using plasma charging technology for field-effect passivation on a boron-doped silicon surface
Progress in photovoltaics, 2020-10, Vol.29 (1)
2020
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  • BibTeX
Analysis of the negative charges injected into a SiO 2 /SiN x stack using plasma charging technology for field‐effect passivation on a boron‐doped silicon surface
Progress in photovoltaics, 2020-10, Vol.29 (1)
2020
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  • BibTeX
Effects of nitrogen implantation in silicon for shallow p+-n junction formation
Applied physics letters, 1999-03, Vol.74 (13), p.1833-1835
1999
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  • BibTeX
Plasma enhanced chemical vapor deposition Si-rich silicon oxynitride films for advanced self-aligned contact oxide etching in sub-0.25 μm ultralarge scale integration technology and beyond
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 2000-07, Vol.18 (4), p.1401-1410
2000
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  • BibTeX
Electrical properties of MOCVD BST thin films annealed by rapid thermal annealing process
Integrated ferroelectrics, 2001-01, Vol.33 (1-4), p.291-301
2001
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Room-temperature bias acceleration test for data retention screening on SONOS nonvolatile memory devices
2007 International Semiconductor Device Research Symposium, 2007, p.1-2
2007
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New Gate Electrodes for Fully-Depleted Soi/cmos; Tin and Poly Si-Ge
1992 IEEE International SOI Conference, 1992, p.148-149
1992
1 – 25 von 111
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