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Fluence, flux, and implantation temperature dependence of ion-implantation-induced defect production in 4H–SiC

Journal of applied physics, 2005-02, Vol.97 (3)

2005

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Ion implantation range distributions in silicon carbide

Journal of applied physics, 2003-06, Vol.93 (11), p.8903-8909

2003

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On the nature of ion implantation induced dislocation loops in 4H-silicon carbide

Journal of applied physics, 2002-09, Vol.92 (5), p.2501-2505

2002

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Solubility limit and precipitate formation in Al-doped 4H-SiC epitaxial material

Applied physics letters, 2001-09, Vol.79 (13), p.2016-2018

2001

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Transient enhanced diffusion of implanted boron in 4H-silicon carbide

Applied physics letters, 2000-03, Vol.76 (11), p.1434-1436

2000

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Ion implantation of silicon carbide

Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2002, Vol.186 (1), p.186-194

2002

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Diffusion of light elements in 4H– and 6H–SiC

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1999-07, Vol.61, p.275-280

1999

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Boron-related luminescence in SiC

Physica. B, Condensed matter, 2003-12, Vol.340-342, p.141-145

2003

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Formation of precipitates in heavily boron doped 4H-SiC

Applied surface science, 2006-05, Vol.252 (15), p.5316-5320

2006

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Scanning spreading resistance microscopy of aluminum implanted 4H–SiC

Materials Science & Engineering, 2003-09, Vol.102 (1), p.128-131

2003

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Boron Diffusion in Intrinsic, n-Type and p-Type 4H-SiC

Materials science forum, 2004-01, Vol.457-460, p.917-920

2004

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Effect of crystal orientation on the implant profile of 60 keV Al into 4H-SiC crystals

Journal of applied physics, 2003-06, Vol.93 (11), p.8914-8917

2003

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Hydrogen–boron complex formation and dissociation in 4H–silicon carbide

Applied surface science, 2001-12, Vol.184 (1), p.257-262

2001

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Ion implantation in 4H–SiC

Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2008-04, Vol.266 (8), p.1367-1372

2008

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Dissociation Energy of the Passivating Hydrogen-Aluminum Complex in 4H-SiC

Materials science forum, 2001-01, Vol.353-356, p.427-430

2001

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A germline variant in the TP53 polyadenylation signal confers cancer susceptibility

Nature genetics, 2011-11, Vol.43 (11), p.1098-1103

2011

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Hydrogen passivation of silicon carbide by low-energy ion implantation

Applied physics letters, 1998-08, Vol.73 (7), p.945-947

1998

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Formation of pn junctions in deep silicon pores for X-ray imaging detector applications

Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2003-08, Vol.509 (1-3), p.96-101

2003

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