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High-quality highly strained InGaAs quantum wells grown on InP using (InAs)n(GaAs)0.25 fractional monolayer superlattices
Applied physics letters, 1999-07, Vol.75 (2), p.220-222
1999
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Opto-mechanical design of tuneable InP-based Fabry–Pérot filter for gas analysis
Sensors and actuators. A. Physical., 2001-11, Vol.94 (3), p.136-141
2001
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Performance and Reliability of 4 Mb eFLASH Memory Array Featuring 28 nm Split-Gate Cell with HKMG Select Transistor
2020 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2020, p.1-4
2020
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Highly strained InxGa1−xAs/InP quantum wells grown by solid source MBE for applications in the 2–2.3μm spectral range
Journal of crystal growth, 1999-05, Vol.201-202, p.1101-1104
1999
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Optimized SiO2/InP structures prepared by electron cyclotron resonance plasma
Journal of applied physics, 1996-09, Vol.80 (5), p.3100-3109
1996
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Scaling Split-Gate Flash Memory Technology for Advanced MCU and Emerging Applications
2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW), 2019, p.1-4
2019
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Highly strained In xGa 1− xAs/InP quantum wells grown by solid source MBE for applications in the 2–2.3 μm spectral range
Journal of crystal growth, 1999, Vol.201, p.1101-1104
1999
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Open Access
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Highly strained InxGa1-x As/InP quantum wells grown by solid source MBE for applications in the 2-2.3 µm spectral range
Journal of crystal growth, 1999, Vol.201-202, p.1101-1104
1999
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2 mu m resonant cavity enhanced InP/InGaAs single quantum well photo-detector
Electronics letters, 1999-07, Vol.35 (15), p.1272-1274
1999
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2 [micro sign]m resonant cavity enhanced InP/InGaAs single quantum well photo-detector
Electronics letters, 1999, Vol.35 (15), p.1272
1999
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2 µm resonant cavity enhanced InP/InGaAs single quantum well photo-detector
Electronics letters, 1999, Vol.35 (15)
1999
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Highly strained InxGa1-xAs/InP quantum wells grown by solid source MBE for applications in the 2-2.3 μm spectral range
Journal of crystal growth, 1999, Vol.201202, p.1101-1104
1999
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Effect of High-Temperature Bake on RTN Statistics in Floating Gate Flash Memory Arrays
2023 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2023, p.1-4
2023
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Performance and Reliability of Technology Qualified 34 Mb Split-Gate eFLASH Macro in 28 nm HKMG
2024 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2024, p.1-4
2024
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