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The influence of p-polysilicon gate doping on the dielectric breakdown of PMOS devices
Microelectronics and reliability, 2001-07, Vol.41 (7), p.973-975
2001
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Through-the-gate-implanted ultrathin gate oxide MOSFET's with corner parasitics-free shallow-trench-isolation
IEEE electron device letters, 1999-07, Vol.20 (7), p.363-365
1999
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Evidence for spatial distribution of traps in MOS systems after fowler nordheim stress
Microelectronic engineering, 1999, Vol.48 (1), p.147-150
1999
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Reliability of ultra thin oxide and nitride films in the 1 nm to 2 nm range
Microelectronic engineering, 1999, Vol.48 (1), p.51-54
1999
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Modeling of substrate related extrinsic oxide failure distributions
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320), 2002, p.393-403
2002
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The Influence of Fluorine on Various Mos Devices
MRS proceedings, 1999, Vol.567, Article 589
1999
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Gate-Prior-To-Isolation Cmos-Technology with Through-The-Gate-Implanted Ultra-Thin Gate Oxides
MRS proceedings, 1999, Vol.567, Article 597
1999
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DRAM Cell with High Signal Charge and Small Storage Capacitance Using the Gain Concept
30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, p.196-199
2000
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