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An evaluation of super-steep-retrograde channel doping for deep-submicron MOSFET applications
IEEE transactions on electron devices, 1994-10, Vol.41 (10), p.1880-1882
1994
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Scaling trends for device performance and reliability in channel-engineered n-MOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 1998-01, Vol.45 (1), p.254-260
1998
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Ensemble Monte Carlo study of interface-state generation in low-voltage scaled silicon MOS devices
IEEE transactions on electron devices, 1996-07, Vol.43 (7), p.1123-1132
1996
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Effects of silicon layer properties on device reliability for 0.1-/spl mu/m SOI n-MOSFET design strategies
IEEE transactions on electron devices, 1997-05, Vol.44 (5), p.815-821
1997
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Spatial retardation of carrier heating in scaled 0.1-/spl mu/m n-MOSFET's using Monte Carlo simulations
IEEE transactions on electron devices, 1996-04, Vol.43 (4), p.661-663
1996
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Spatial retardation of carrier heating in scaled 0.1-μm n-MOSFET's using Monte Carlo simulations
IEEE transactions on electron devices, 1996-04, Vol.43 (4), p.661-663
1996
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Effects of silicon layer properties on device reliability for 0.1-μm SOI n-MOSFET design strategies
IEEE transactions on electron devices, 1997-05, Vol.44 (5), p.815-821
1997
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Comparative analysis of hot electron injection and induced device degradation in scaled 0.1 μm SOI n-MOSFETs using Monte Carlo simulation
IEEE electron device letters, 1996-02, Vol.17 (2), p.53-55
1996
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An amorphous silicon blocking mask for MOSFET after gate channel implants and bipolar implants in advanced BiCMOS technology
10th Annual IEEE/SEMI. Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop. ASMC 99 Proceedings (Cat. No.99CH36295), 1999, p.348-351
1999
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Non-local transport and 2-D effects on hot electron injection in fully-depleted 0.1 μm SOI n-MOSFET's using Monte Carlo simulation
Microelectronic engineering, 1995, Vol.28 (1), p.289-292
1995
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Scaling studies of hot electron injection and interface-state generation in deep-submicron silicon mosfets: a monte carlo analysis
52nd Annual Device Research Conference, 1994, p.81-82
1994
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A Monte Carlo study of drain and channel engineering effects on hot electron injection and induced device degradation in 0.1 /spl mu/m n-MOSFETs
1995 53rd Annual Device Research Conference Digest, 1995, p.14-15
1995
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Channel engineering in n-MOSFETs: scaling trends for hot electron injection and device degradation
1996 54th Annual Device Research Conference Digest, 1996, p.20-21
1996
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