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2023
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IEEE transactions on electron devices, 2011-03, Vol.58 (3), p.623-630
2011
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Excess low-frequency noise in ultrathin oxide n-MOSFETs arising from valence-band electron tunneling
2005
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2012 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2012, p.XT.13.1-XT.13.4
2012
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IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest, 2005, p.154-157
2005
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IEEE transactions on device and materials reliability, 2007-12, Vol.7 (4), p.518-523
2007
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Asian Pacific journal of tropical medicine, 2013-05, Vol.6 (5), p.407-409
2013
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