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Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs

Applied physics letters, 1994-01, Vol.64 (2), p.196-198

1994

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First stages of the MBE growth of InAs on (001)GaAs

Journal of crystal growth, 1987-02, Vol.81 (1), p.67-72

1987

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Surface segregation in III–V alloys

Journal of crystal growth, 1991-05, Vol.111 (1), p.141-150

1991

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Interaction of atomic hydrogen with native oxides on GaAs(100)

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1992-07, Vol.10 (4), p.2172-2177

1992

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Intermixing at InAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces

Surface science, 1987-10, Vol.189, p.1041-1046

1987

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Interaction of atomic hydrogen with native oxides on InP(100)

Surface science, 1992-05, Vol.269-270, p.902-908

1992

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Self-organized growth of InAs/GaAs quantum boxes

Applied surface science, 1996-02, Vol.92 (1-4), p.526-531

1996

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Photo-assisted deposition of thin films on III–V semiconductors with UV and IR lamps

Applied surface science, 1990-12, Vol.46 (1), p.175-188

1990

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Near-surface GaAs/Ga0.7Al0.3As quantum wells : interaction with the surface states

Physical review. B, Condensed matter, 1990-06, Vol.41 (18), p.12945-12948

1990

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Chemical and morphological aspects of the build-up of the interface between InP(100) and column III metal overlayers

Surface science, 1986-03, Vol.168 (1), p.347-355

1986

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Surface segregation of third-column atoms in III–V ternary arsenides

Journal of crystal growth, 1989-02, Vol.95 (1), p.35-37

1989

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Surface localization of the photochemical vapor deposition of SiO2 on InP at low pressure and room temperature

Applied physics letters, 1991-03, Vol.58 (10), p.1071-1073

1991

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Surface segregation of third-column atoms in group III-V arsenide compounds: ternary alloys and heterostructures

Physical review. B, Condensed matter, 1989-09, Vol.40 (9), p.6149-6162

1989

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Early stages in the formation of the oxide-InP(110) interface

Surface science, 1986-03, Vol.168 (1), p.617-625

1986

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Epitaxial regrowth of an InAs surface on InP: an example of artificial surfaces

Physical review. B, Condensed matter, 1986-08, Vol.34 (3), p.2018-2021

1986

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Differences in the SiO2/InP interfaces obtained by thermal and UV-induced chemical vapour deposition

Applied surface science, 1992, Vol.56-58, p.789-794

1992

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Angle resolved photoemission valence band dispersions E(k) for gaP

Solid state communications, 1984-01, Vol.52 (1), p.37-40

1984

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The formation of the GaInP(100) interface

Surface science, 1985-01, Vol.162 (1), p.617-621

1985

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Passivation of Si (111) surfaces by ordered metal layers

Surface science, 1982-05, Vol.116 (3), p.L232-L236

1982

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Optimal surface cleaning of GaAs (001) with atomic hydrogen

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 1994-03, Vol.12 (2), p.547-550

1994

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