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A 1.1 V 2y-nm 4.35 Gb/s/pin 8 Gb LPDDR4 Mobile Device With Bandwidth Improvement Techniques
IEEE journal of solid-state circuits, 2015-08, Vol.50 (8), p.1945-1959
2015
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A 1.1V 2y-nm 4.35Gb/s/pin 8Gb LPDDR4 mobile device with bandwidth improvement techniques
Proceedings of the IEEE 2014 Custom Integrated Circuits Conference, 2014, p.1-4
2014
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A 1.1V 16Gb DDR5 DRAM with Probabilistic-Aggressor Tracking, Refresh-Management Functionality, Per-Row Hammer Tracking, a Multi-Step Precharge, and Core-Bias Modulation for Security and Reliability Enhancement
2023 IEEE International Solid- State Circuits Conference (ISSCC), 2023, p.1-3
2023
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Design and Implementation of Network Management System for Power Line Communcation Network
2007 IEEE International Symposium on Power Line Communications and Its Applications, 2007, p.23-28
2007
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