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A 1-Gb SDRAM with ground-level precharged bit line and nonboosted 2.1-V word line

IEEE journal of solid-state circuits, 1998-11, Vol.33 (11), p.1697-1702

Eto, S.
Matsumiya, M.
Takita, M.
Ishii, Y.
Nakamura, T.
Kawabata, K.
Kano, H.
Kitamoto, A.
Ikeda, T.
Koga, T.
Higashiho, M.
Serizawa, Y.
Irabashi, K.
Tsuboi, O.
Yokoyama, Y.
Taguchi, M.

1998

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A 1 Gb SDRAM with ground level precharged bitline and non-boosted 2.1 V word line

1998 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, ISSCC. First Edition (Cat. No.98CH36156), 1998, p.82-83

Eto, S.
Matsumiya, M.
Takita, M.
Ishii, Y.
Nakamura, T.
Kawabata, K.
Kano, H.
Kitamoto, A.
Ikeda, T.
Koga, T.
Higashiho, M.
Serizawa, Y.
Itabashi, K.
Tsuboi, O.
Yokoyama, Y.
Taguchi, M.

1998

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Non-precharged bit-line sensing scheme for high-speed low-power DRAMs

1998 Symposium on VLSI Circuits. Digest of Technical Papers (Cat. No.98CH36215), 1998, p.16-17

Kato, Y.
Nakaya, N.
Maeda, T.
Higashiho, M.
Yokoyama, T.
Sugo, Y.
Baba, F.
Takemae, Y.
Miyabo, T.
Saito, S.

1998

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