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Waveguide-based type-II heterostructure photodiode on InAs substrate with broad wavelength range photoresponse
IEEE photonics technology letters, 2004-05, Vol.16 (5), p.1358-1360
2004
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Detailed X-ray diffraction studies on optically pumped mid-infrared InAs/Ga(In)Sb/AlSb type-II lasers
Journal of crystal growth, 2003-09, Vol.257 (1-2), p.42-50
2003
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Deep reactive ion etching of GaSb in Cl 2 /Ar-plasma discharges using single-layer soft mask technologies
Journal of micromechanics and microengineering, 2003-03, Vol.13 (2), p.238-245
2003
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Deep reactive ion etching of GaSb in Cl2/Ar-plasma discharges using single-layer soft mask technologies
Journal of micromechanics and microengineering, 2003-03, Vol.13 (2), p.238-245
2003
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Temperature and carrier density dependence of Auger recombination in a 3.4 µm InAs/GaSb/AlSb type-II laser device
Semiconductor science and technology, 2002-10, Vol.17 (10), p.1115-1122
2002
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Deep dry etching of GaAs and GaSb using Cl 2 / Ar plasma discharges
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2003-11, Vol.21 (6), p.2393-2397
2003
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