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Effects of the LPCVD Gate Dielectric Deposition Temperature on GaN MOSFET Channels and the Root Causes at the SiO2-GaN-Interface
IEEE transactions on electron devices, 2024-03, Vol.71 (3), p.1553-1560
2024
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Effects of the LPCVD Gate Dielectric Deposition Temperature on GaN MOSFET Channels and the Root Causes at the SiO 2 -GaN-Interface
IEEE transactions on electron devices, 2024-03, Vol.71 (3), p.1553-1560
2024
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Open Access
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Bosonic excitation spectra of superconducting Bi2Sr2CaCu2O8+δ and YBa2Cu3O6+x extracted from scanning tunneling spectra
Journal of physics. Condensed matter, 2024-05, Vol.36 (17), p.175601
2024
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SiO 2 ‐GaN Interface Improvement by Wet Cleaning and In Situ Annealing for GaN MOS Transistors
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2024-07
2024
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Bosonic excitation spectra of superconductingBi2Sr2CaCu2O8+δandYBa2Cu3O6+xextracted from scanning tunneling spectra
Journal of physics. Condensed matter, 2024-01, Vol.36 (17)
2024
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Impact of Gate Dielectric Deposition Temperature on p-type Inversion Channel MOSFETs fabricated on GaN-on-Si
2022 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe), 2022, p.1-5
2022
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