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The influence of post-etch InGaAs fin profile on electrical performance

Japanese Journal of Applied Physics, 2014-04, Vol.53 (4S), p.4-1-04EC20-4

2014

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New bending mode in SAQP Si fins and its mitigation

Materials science in semiconductor processing, 2022-04, Vol.141, p.106437, Article 106437

2022

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Grazing Incidence-X-ray Fluorescence Spectrometry for the Compositional Analysis of Nanometer-Thin High- κDielectric HfO2 Layers

Analytical Sciences, 2005, Vol.21(7), pp.845-850

2005

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Silicon Nano-Pillar Test Structures for Quantitative Evaluation of Wafer Drying Induced Pattern Collapse

ECS transactions, 2011, Vol.41 (5), p.189-196

2011

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Interplay of plasma etch, strip and wet clean in patterning La2O3/HfO2-containing high-κ/metal gate stacks

Microelectronic engineering, 2011, Vol.88 (1), p.21-27

2011

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Trends in total reflection X-ray fluorescence spectrometry for metallic contamination control in semiconductor nanotechnology

Spectrochimica acta. Part B: Atomic spectroscopy, 2006-05, Vol.61 (5), p.496-514

2006

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Interplay of plasma etch, strip and wet clean in patterning La sub(2)O sub(3)/HfO sub(2)-containing high- Kappa /metal gate stacks

Microelectronic engineering, 2011-01, Vol.88 (1), p.21-27

2011

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Interplay of plasma etch, strip and wet clean in patterning La 2O 3/HfO 2-containing high-κ/metal gate stacks

Microelectronic engineering, 2011, Vol.88 (1), p.21-27

2011

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Interplay of plasma etch, strip and wet clean in patterning La sub(2)O sub(3)/HfO sub(2)-containing high-[kappa]/metal gate stacks

Microelectronic engineering, 2011-01, Vol.88 (1), p.21-27

2011

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Effect of etch-clean delay time on post-etch residue removal for front-end-of-line applications

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2009-09, Vol.27 (5), p.2301-2308

2009

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Hafnium oxide films by atomic layer deposition for high- κ gate dielectric applications: Analysis of the density of nanometer-thin films

Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (7), p.073116-073116-3

2005

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Saturation effects in TXRF on micro-droplet residue samples

Journal of analytical atomic spectrometry, 2004-01, Vol.19 (12), p.1517

2004

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Implementation of a System for Metal Contamination Control Based on Classification Criteria

Solid state phenomena, 2008, Vol.134, p.259-262

2008

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Interplay between Dry Etch and Wet Clean in Patterning La 2 O 3 /HfO 2 Containing High-k/metal Gate Stacks

ECS transactions, 2009-09, Vol.25 (5), p.29-36

2009

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Investigation of Metallic Contamination Analysis Using Vapor Phase Decomposition – Droplet Collection – Total Reflection X-Ray Fluorescence (VPD-DC-TXRF) for Pt-Group Elements on Silicon Wafers

Solid state phenomena, 2008, Vol.134, p.273-276

2008

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The Effect of Delay Between Dry Etch and Wet Clean Processing Steps on Cleaning of Post-Etch Residues

ECS transactions, 2007, Vol.11 (2), p.283-290

2007

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A Novel Concept for Contact Etch Residue Removal

ECS transactions, 2007, Vol.11 (2), p.403-407

2007

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Wonderful new materials or yield killers? New metrics for metal contamination assessment

2006 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing, 2006, p.175-178

2006

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How Trace Analytical Techniques Contribute to the Research and Development of Ge and III/V Semiconductor Devices

ECS transactions, 2006, Vol.3 (7), p.173-181

2006

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Grazing Incidence-X-ray Fluorescence Spectrometry for the Compositional Analysis of Nanometer-Thin High- [kappa]Dielectric HfO2 Layers

Analytical sciences, 2005-07, Vol.21 (7), p.845

2005

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Gate double patterning strategies for 10-nm node FinFET devices

Journal of micro/nanolithography, MEMS, and MOEMS, 2015-03, Vol.14 (1), p.14504

2015

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Introduction of High-k Materials into Wet Processing, Analysis and Behavior

Solid state phenomena, 2003-01, Vol.92, p.19-22

2003

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VPD-DC-TXRF for Metallic Contamination Analysis of Ge Wafers

Solid state phenomena, 2005-04, Vol.103-104, p.213-216

2005

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Self-aligned quadruple patterning to meet requirements for fins with high density

SPIE newsroom, 2016-05

2016

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