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Oxidation of silicon–germanium alloys. I. An experimental study
Journal of applied physics, 1997-12, Vol.82 (11), p.5773-5778
1997
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Oxidation of silicon–germanium alloys. II. A mathematical model
Journal of applied physics, 1997-12, Vol.82 (11), p.5779-5787
1997
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Effect of growth temperature on the properties of evaporated tantalum pentoxide thin films on silicon deposited using oxygen radicals
Journal of applied physics, 1998-08, Vol.84 (3), p.1632-1642
1998
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A charge sheet model for MOSFETs with an abrupt retrograde channel: Part I. Drain current and body charge
Solid-state electronics, 2002-12, Vol.46 (12), p.2209-2216
2002
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Electrical properties of the TiSi2–Si transition region in contacts: The influence of an interposed layer of Nb
Journal of applied physics, 2001-09, Vol.90 (5), p.2380-2388
2001
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A charge sheet model for MOSFETs with an abrupt retrograde channel: Part II. Charges and intrinsic capacitances
Solid-state electronics, 2002-12, Vol.46 (12), p.2217-2225
2002
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Considerations of Pad Compensation for On-Wafer High Frequency Characterization of MOSFETs
Physica Scripta, 2002-01, Vol.2002 (1), p.70
2002
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Polycrystalline p+-SixGe1-x as a single gate in CMOS technology
Physica scripta, 1999-01, Vol.1999 (1), p.225
1999
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Tantalum oxide films on silicon grown by tantalum evaporation in atomic oxygen
Thin solid films, 1996-08, Vol.281, p.415-418
1996
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Threshold voltage control for PMOSFETs using an undoped epitaxial Si channel and a p+-SixGe1−x gate
Solid-state electronics, 2000-11, Vol.44 (11), p.2085-2088
2000
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Open Access
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  • BibTeX
Influence of Interface Roughness on Electrical Properties of pMOSFETs with a Si/Si1- xGex Channel
Physica Scripta, 2002-01, Vol.2002 (1), p.22
2002
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  • BibTeX
Wet And Dry Oxidation of Polycrystalline SixGe1-x Films
MRS proceedings, 1998, Vol.533
1998
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Nonionic cleavable ortho ester surfactants
Journal of surfactants and detergents, 2000-07, Vol.3 (3), p.369-379
2000
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Work function of boron-doped polycrystalline Si/sub x/Ge/sub 1-x/ films
IEEE electron device letters, 1997-09, Vol.18 (9), p.456-458
1997
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Enhanced intrinsic gain (gm/gd) of PMOSFETs with a Si0.7Ge0.3 channel
2002
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Synthesis and characterization of cleavable surfactants derived from poly(ethylene glycol) monomethyl ether
Journal of the American Oil Chemists' Society, 1996-07, Vol.73 (7), p.841-845
1996
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  • BibTeX
Expression of Matrix Metalloproteinases and Their Inhibitors in Human Trabecular Meshwork Cells
Investigative ophthalmology & visual science, 2003-08, Vol.44 (8), p.3485-3493
2003
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  • BibTeX
Notched sub-100 nm gate MOSFETs for analog applications
2001 6th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.01EX443), 2001, Vol.1, p.539-542 vol.1
2001
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Cleavable surfactants
Journal of surfactants and detergents, 2000-01, Vol.3 (1), p.81-91
2000
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Aqueous Outflow-Enhancing Effect of tert-Butylhydroquinone: Involvement of AP-1 Activation and MMP-3 Expression
Investigative ophthalmology & visual science, 2003-08, Vol.44 (8), p.3502-3510
2003
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  • BibTeX
A charge sheet model for MOSFETs with an abrupt retrograde channel
Solid-state electronics, 2002-12, Vol.46 (12), p.2209-2216
2002
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A charge sheet model for MOSFETs with an abrupt retrograde channel
Solid-state electronics, 2002-12, Vol.46 (12), p.2217-2225
2002
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Ortho ester‐based cleavable cationic surfactants
Journal of surfactants and detergents, 2002-07, Vol.5 (3), p.217-227
2002
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  • BibTeX
Threshold voltage control for PMOSFETs using an undoped epitaxial Si channel and a p +-Si xGe 1− x gate
Solid-state electronics, 2000, Vol.44 (11), p.2085-2088
2000
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  • BibTeX
Work function of boron-doped polycrystallineSi(x)Ge(1-x) films
IEEE electron device letters, 1997-09, Vol.18 (9), p.456-458
1997
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