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32 and 45 nm Radiation-Hardened-by-Design (RHBD) SOI Latches
IEEE transactions on nuclear science, 2011-12, Vol.58 (6), p.2702-2710
2011
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Estimation of Heavy-Ion LET Thresholds in Advanced SOI IC Technologies From Two-Photon Absorption Laser Measurements
IEEE transactions on nuclear science, 2010-08, Vol.57 (4), p.1827-1834
2010
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Low-Energy Proton-Induced Single-Event-Upsets in 65 nm Node, Silicon-on-Insulator, Latches and Memory Cells
IEEE transactions on nuclear science, 2007-12, Vol.54 (6), p.2474-2479
2007
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Hardness Assurance Testing for Proton Direct Ionization Effects
IEEE transactions on nuclear science, 2012-08, Vol.59 (4), p.1197-1202
2012
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Impact of Spacecraft Shielding on Direct Ionization Soft Error Rates for Sub-130 nm Technologies
IEEE transactions on nuclear science, 2010-12, Vol.57 (6), p.3183-3189
2010
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Alpha-Particle Emission Energy Spectra From Materials Used for Solder Bumps
IEEE transactions on nuclear science, 2010-12, Vol.57 (6), p.3251-3256
2010
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Comparison of Single and Two-Photon Absorption for Laser Characterization of Single-Event Upsets in SOI SRAMs
IEEE transactions on nuclear science, 2011-12, Vol.58 (6), p.2968-2975
2011
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Modeling of Alpha-Induced Single Event Upsets for 45 nm Node SOI Devices Using Realistic C4 and 3D Circuit Geometries
IEEE transactions on nuclear science, 2009-12, Vol.56 (6), p.3093-3097
2009
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Heavy Ion Testing With Iron at 1 GeV/amu
IEEE transactions on nuclear science, 2010-10, Vol.57 (5), p.2948-2954
2010
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Latch Design Techniques for Mitigating Single Event Upsets in 65 nm SOI Device Technology
IEEE transactions on nuclear science, 2007-12, Vol.54 (6), p.2021-2027
2007
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Low Energy Proton Single-Event-Upset Test Results on 65 nm SOI SRAM
IEEE transactions on nuclear science, 2008-12, Vol.55 (6), p.3394-3400
2008
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An Evaluation of An Ultralow Background Alpha-Particle Detector
IEEE transactions on nuclear science, 2009-12, Vol.56 (6), p.3381-3386
2009
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Flip-Flop Upsets From Single-Event-Transients in 65 nm Clock Circuits
IEEE transactions on nuclear science, 2009-12, Vol.56 (6), p.3145-3151
2009
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Single-Event-Upset Critical Charge Measurements and Modeling of 65 nm Silicon-on-Insulator Latches and Memory Cells
IEEE transactions on nuclear science, 2006-12, Vol.53 (6), p.3512-3517
2006
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Alpha-Particle, Carbon-Ion and Proton- Induced Flip-Flop Single-Event-Upsets in 65 nm Bulk Technology
IEEE transactions on nuclear science, 2008-12, Vol.55 (6), p.3375-3380
2008
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An on-chip jitter measurement circuit with sub-picosecond resolution
Proceedings of the 31st European Solid-State Circuits Conference, 2005. ESSCIRC 2005, 2005, p.157-160
2005
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  • BibTeX
Outstanding Conference Paper Award 2009 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference
IEEE transactions on nuclear science, 2009-12, Vol.56 (6), p.3026-3029
2009
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  • BibTeX
Implementation of a self-resetting CMOS 64-bit parallel adder with enhanced testability
IEEE journal of solid-state circuits, 1999-08, Vol.34 (8), p.1108-1117
1999
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Multi-bit upsets in 65nm SOI SRAMs
2008 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2008, p.195-201
2008
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Open Access
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Recent Single Event Effects Compendium of Candidate Electronics for NASA Space Systems
2011 IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2011, p.1-13
2011
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Protecting Big Blue from Rogue Subatomic Particles
2007 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, 2007, p.1-6
2007
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Ion microbeam probing of sense amplifiers to analyze single event upsets in a CMOS DRAM
IEEE journal of solid-state circuits, 1991-02, Vol.26 (2), p.132-134
1991
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Electron beam tester measurements of switching noise in VLSI circuits
Microelectronic engineering, 1991, Vol.14 (2), p.109-120
1991
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Hardness assurance testing for proton direct ionization effects
2011 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, 2011, p.788-794
2011
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A 12-ns low-temperature DRAM
IEEE transactions on electron devices, 1989-08, Vol.36 (8), p.1414-1422
1989
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