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Understanding negative bias temperature instability in the context of hole trapping (Invited Paper)
Microelectronic engineering, 2009-07, Vol.86 (7), p.1876-1882
2009
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Recovery of negative and positive bias temperature stress in pMOSFETs
2010 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report, 2010, p.8-11
2010
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A two-stage model for negative bias temperature instability
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2009, p.33-44
2009
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Switching oxide traps as the missing link between negative bias temperature instability and random telegraph noise
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2009, p.1-4
2009
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Quantum-mechanical modeling of NBTI in high-k SiGe MOSFETs
2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2011, p.11-14
2011
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Do NBTI-induced interface states show fast recovery? A study using a corrected on-the-fly charge-pumping measurement technique
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2009, p.1033-1038
2009
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On the temperature and voltage dependence of short-term negative bias temperature stress
Microelectronics and reliability, 2009-09, Vol.49 (9), p.1013-1017
2009
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(Invited) Charge Trapping and the Negative Bias Temperature Instability
ECS transactions, 2010, Vol.33 (3), p.565-589
2010
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Comparison of fast measurement methods for short-term negative bias temperature stress and relaxation
2009 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, 2009, p.311-314
2009
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Recent advances in understanding the bias temperature instability
2010 International Electron Devices Meeting, 2010, p.4.4.1-4.4.4
2010
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On the impact of the Si passivation layer thickness on the NBTI of nanoscaled Si0.45Ge0.55 pMOSFETs
Microelectronic engineering, 2011-07, Vol.88 (7), p.1388-1391
2011
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On the impact of the Si passivation layer thickness on the NBTI of nanoscaled Si 0.45Ge 0.55 pMOSFETs
Microelectronic engineering, 2011, Vol.88 (7), p.1388-1391
2011
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