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Very High Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si(110) Surface
IEEE transactions on electron devices, 2007-06, Vol.54 (6), p.1438-1445
2007
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Simultaneous Formation of a Metallic Mn Layer and a MnOx/MnSixOy Barrier Layer by Chemical Vapor Deposition at 250 °C
Jpn J Appl Phys, 2013-05, Vol.52 (5), p.05FA02-05FA02-3
2013
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Different mechanism to explain the 1 ∕ f noise in n - and p -SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers
Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2009-01, Vol.27 (1), p.394-401
2009
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Dependence of ion implantation: Induced defects on substrate doping
Journal of applied physics, 2001-03, Vol.89 (6), p.3156-3161
2001
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Simultaneous Formation of a Metallic Mn Layer and a MnO x /MnSi x O y Barrier Layer by Chemical Vapor Deposition at 250 °C
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-05, Vol.52 (5S3), p.5
2013
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Simultaneous Formation of a Metallic Mn Layer and a MnO sub(x)/MnSi sub(x)O sub(y) Barrier Layer by Chemical Vapor Deposition at 250 [degrees]C
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-05, Vol.52 (5S3)
2013
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Open Access
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1/f noise suppression of pMOSFETs fabricated on Si(100) and Si(110) using an alkali-free cleaning process
IEEE transactions on electron devices, 2006-04, Vol.53 (4), p.851-856
2006
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Thin inter-polyoxide films for flash memories grown at low temperature (400 degree C) by oxygen
IEEE electron device letters, 2001-09, Vol.22 (9), p.423-425
2001
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Electric Characteristics of Si 3 N 4 Films Formed by Directly Radical Nitridation on Si(110) and Si(100) Surfaces
Japanese Journal of Applied Physics, 2007-04, Vol.46 (4S), p.1895
2007
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(100) and (111) Si MOS transistors fabricated with low growth temperature (400 °C) gate oxide by Kr/O2 microwave-excited high-density plasma
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2001-11, Vol.14 (4), p.418-420
2001
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