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Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization
Journal of crystal growth, 2024-04, Vol.631, p.127615, Article 127615
2024
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Silicon layers atop iron silicide nanoislands on Si(100) substrate: Island formation, silicon growth, morphology and structure
Thin solid films, 2007-07, Vol.515 (20), p.7805-7812
2007
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Structural changes of MoS2 nano-powder in dependence on the annealing temperature
Applied physics. A, Materials science & processing, 2005-01, Vol.80 (1), p.61-67
2005
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Free-standing and overgrown InGaAs/GaAs nanotubes, nanohelices and their arrays
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2000-02, Vol.6 (1), p.828-831
2000
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Visible and near-infrared luminescence from silicon nanostructures formed by ion implantation and pulse annealing
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 1997-02, Vol.122 (3), p.571-574
1997
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Evolution of silicon nanoclusters and hydrogen in SiNx:H films: Influence of high hydrostatic pressure under annealing
Thin solid films, 2012-07, Vol.520 (19), p.6207-6214
2012
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Ge and GexSi1−x islands formation on GexSi1−x solid solution surface
Thin solid films, 2012-02, Vol.520 (8), p.3319-3321
2012
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Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 2005-02, Vol.274 (3-4), p.339-346
2005
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High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy
Journal of crystal growth, 2011-12, Vol.337 (1), p.93-96
2011
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High-quality structures with InAs/Al 0.9Ga 0.1As QDs produced by droplet epitaxy
Journal of crystal growth, 2011, Vol.337 (1), p.93-96
2011
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Defects in the crystal structure of [Cd.sub.x][Hg.sub.1 - x]Te layers grown on the Si substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-07, Vol.45 (7), p.926
2011
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The influence of elastic strains on the growth and properties of vertically ordered Ge “hut”-clusters
Thin solid films, 2008-11, Vol.517 (1), p.69-70
2008
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Optical vibrational modes in (Cd, Pb, Zn)S quantum dots embedded in Langmuir–Blodgett matrices
Thin solid films, 2002-12, Vol.422 (1), p.200-204
2002
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Implantation of P ions in SiO2 layers with embedded Si nanocrystals
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2004-08, Vol.222 (3-4), p.497-504
2004
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Properties of silicon oversaturated with implanted hydrogen
Thin solid films, 2002-02, Vol.403, p.500-504
2002
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  • BibTeX
Implantation of P ions in SiO 2 layers with embedded Si nanocrystals
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2004, Vol.222 (3), p.497-504
2004
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  • BibTeX
Light particle irradiation effects in Si nanocrystals
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 1999, Vol.147 (1), p.356-360
1999
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HREM of epitaxial layers in the InAs/GaAs system
Ultramicroscopy, 1991, Vol.35 (1), p.11-18
1991
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  • BibTeX
Nanoscale engineering using controllable formation of ultra-thin cracks in heterostructures
Microelectronic engineering, 1996-01, Vol.30 (1-4), p.439-442
1996
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Germanium nanoislands formation on silicon oxide surface by molecular beam epitaxy
Materials science in semiconductor processing, 2005-02, Vol.8 (1), p.47-50
2005
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Self-Assembled Islands in the (Ga,Al)As/InAs Heteroepitaxial System Studied by Raman Spectroscopy
physica status solidi (b), 2001-03, Vol.224 (1), p.25-29
2001
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Cleavage of thin films for X-HREM study of interface quality in heterostructures
Journal of crystal growth, 2000-03, Vol.210 (1), p.182-186
2000
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Stress relaxation by generation of L-shape misfit dislocations in (001) heterostructures with diamond and sphalerite lattices
Applied surface science, 2000-10, Vol.166 (1), p.57-60
2000
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Ellipsometry and microscopy study of nanocrystalline Si:H layers formed by high dose implantation of silicon
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2000-04, Vol.73 (1), p.120-123
2000
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  • BibTeX
Effect of Ga predeposition layer on the growth of GaAs on vicinal Ge(0 0 1)
Journal of crystal growth, 1999-05, Vol.201, p.232-235
1999
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