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Capacitance, conductance, and dielectric characteristics of Al/TiO2/Si diode
Journal of materials science. Materials in electronics, 2021-05, Vol.32 (10), p.13549-13567
2021
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Temperature and frequency effects on electrical and dielectric properties of n-4H SiC based metal–insulator-semiconductor (MIS) diode interlayered with Si3N4 thin film
Journal of materials science. Materials in electronics, 2020-06, Vol.31 (11), p.8705-8717
2020
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Analysis of forward and reverse biased current–voltage characteristics of Al/Al2O3/n-Si Schottky diode with atomic layer deposited Al2O3 thin film interlayer
Journal of materials science. Materials in electronics, 2019-11, Vol.30 (21), p.19383-19393
2019
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Electrical properties of Al/PCBM:ZnO/p-Si heterojunction for photodiode application
Journal of alloys and compounds, 2020-06, Vol.827, p.154279, Article 154279
2020
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A study on electrical properties of Au/4H-SiC Schottky diode under illumination
Journal of materials science. Materials in electronics, 2021-08, Vol.32 (15), p.20130-20138
2021
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Electrical Characterization of ZnInSe2/Cu0.5Ag0.5InSe2 Thin-Film Heterojunction
Journal of electronic materials, 2019-05, Vol.48 (5), p.3096-3104
2019
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Frequency effect on electrical and dielectric characteristics of HfO2-interlayered Si-based Schottky barrier diode
Journal of materials science. Materials in electronics, 2020-06, Vol.31 (12), p.9394-9407
2020
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Electrical characteristics of organic heterojunction with an alternating benzotriazole and fluorene containing copolymer
Journal of materials science. Materials in electronics, 2020-11, Vol.31 (21), p.18816-18831
2020
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Electrical characteristics of Al/AlGaAs/GaAs diode with high-Al concentration at the interface
Journal of materials science. Materials in electronics, 2024, Vol.35 (2), p.189, Article 189
2024
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Dark and illuminated electrical characteristics of Si-based photodiode interlayered with CuCo5S8 nanocrystals
Journal of materials science. Materials in electronics, 2020, Vol.31 (2), p.935-948
2020
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Electrical characterization of CdZnTe/Si diode structure
Applied physics. A, Materials science & processing, 2020-08, Vol.126 (8), Article 614
2020
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Analysis of Double Gaussian Distribution on Barrier Inhomogeneity in a Au/n-4H SiC Schottky Diode
Journal of electronic materials, 2021-12, Vol.50 (12), p.7044-7056
2021
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Dark conduction mechanisms of PTQBDT based heterojunction diode
Physica scripta, 2023-01, Vol.98 (1), p.15819
2023
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Analysis of temperature-dependent forward and leakage conduction mechanisms in organic thin film heterojunction diode with fluorine-based PCBM blend
Journal of materials science. Materials in electronics, 2020-09, Vol.31 (18), p.15233-15242
2020
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Effect of TiO2 Thin Film with Different Dopants in Bringing Au-Metal into a Contact with n-Si
Journal of inorganic and organometallic polymers and materials, 2022-03, Vol.32 (3), p.1067-1077
2022
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Temperature-Dependent Electrical Characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC MIS Diode
Journal of electronic materials, 2018-05, Vol.47 (5), p.2979-2987
2018
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Dark and illuminated electrical characteristics of Schottky device with Zn-complex interface layer
Journal of materials science. Materials in electronics, 2022-08, Vol.33 (22), p.18039-18053
2022
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Influence of temperature on optical properties of electron-beam-evaporated ZnSe thin film
Physica scripta, 2020-07, Vol.95 (7), p.75804
2020
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Determination of current transport characteristics in Au-Cu/CuO/n-Si Schottky diodes
Physica. B, Condensed matter, 2019-10, Vol.570, p.246-253
2019
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Study on the electrical properties of ZnSe/Si heterojunction diode
Journal of materials science. Materials in electronics, 2017-12, Vol.28 (23), p.17806-17815
2017
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Salvage Reirradiaton With Stereotactic Body Radiotherapy for Locally Recurrent Head-and-Neck Tumors
International journal of radiation oncology, biology, physics, 2011-09, Vol.81 (1), p.104-109
2011
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Optical and electrical characteristics of thermally evaporated Cu0.5Ag0.5InSe2 thin films
Thin solid films, 2017-10, Vol.639, p.29-35
2017
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Deposition of CZTSe thin films and illumination effects on the device properties of Ag/n-Si/p-CZTSe/In heterostructure
Journal of alloys and compounds, 2017-06, Vol.709, p.337-343
2017
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Temperature-dependent optical characteristics of sputtered Ga-doped ZnO thin films
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2021-01, Vol.263, p.114834, Article 114834
2021
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Temperature dependence of electrical properties in Cu0.5Ag0.5InSe2/Si heterostructure
Journal of materials science. Materials in electronics, 2018-07, Vol.29 (13), p.11258-11264
2018
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