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Pulse Power Generation in Nano- and Subnanosecond Range by Means of Ionizing Fronts in Semiconductors: The State of the Art and Future Prospects
IEEE transactions on plasma science, 2010-05, Vol.38 (5), p.1118-1123
2010
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Picosecond-Range Avalanche Switching of Bulk Semiconductors Triggered by Steep High-Voltage Pulses
IEEE transactions on plasma science, 2019-01, Vol.47 (1), p.994-999
2019
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Picosecond-Range Avalanche Switching of High-Voltage Diodes: Si Versus GaAs Structures
IEEE transactions on plasma science, 2016-10, Vol.44 (10), p.1941-1946
2016
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Subnanosecond Semiconductor Opening Switch Based on 4H-SiC Junction Diode
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.865-868
2013
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High retention of polarization in polycrystalline M/PZT/M capacitors in the presence of depolarization field near grain boundaries
IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control, 2011-10, Vol.58 (10), p.2252-2258
2011
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Reverse Leakage Currents in High-Voltage 4H-SiC Schottky Diodes
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.877-880
2013
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High-power semiconductor-based nano and subnanosecond pulse Generator with a low delay time
IEEE transactions on plasma science, 2005-08, Vol.33 (4), p.1240-1244
2005
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Novel Closing Switches Based on Propagation of Fast Ionization Fronts in Semiconductors
IEEE transactions on plasma science, 2008-04, Vol.36 (2), p.378-382
2008
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Interfacial Properties of Silicon Structures Fabricated by Vacuum Grooved Surface Bonding Technology
Japanese Journal of Applied Physics, 1998, Vol.37 (Part 1, No. 12A), p.6287-6289
1998
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Aleksandr Aleksandrovich Kaplyanskii (on his 90th birthday)
Uspehi fiziceskih nauk, 2020-12, Vol.190 (12), p.1343-1344
2020
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Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching
Physics Uspekhi, 2005-07, Vol.48 (7), p.703-712
2005
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In memory of Zhores Ivanovich Alferov
Uspehi fiziceskih nauk, 2019-08, Vol.189 (8), p.899-900
2019
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Breakdown Behavior of 900-V 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Terminated with Boron-Implanted pn-Junction
Materials science forum, 2009, Vol.600-603, p.955-958
2009
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Breakdown Behavior of 900-V 4H-SiC Schottky Barrier Diodes
Materials science forum, 2009-01, Vol.600-603, p.955-958
2009
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SiC-based phototransistor with a tunnel MOS emitter
IEEE transactions on electron devices, 1999-03, Vol.46 (3), p.577-579
1999
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Robert Arnol'dovich Suris (on his 80th birthday)
Uspehi fiziceskih nauk, 2016-12, Vol.186 (12), p.1381-1382
2016
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3.3 kV 3.3 kA Integrated Thyristor Chip for Pulse Power Applications
2023 Seminar on Industrial Electronic Devices and Systems (IEDS), 2023, p.164-166
2023
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Andrei Nikolaevich Lagarkov (on his 70th birthday)
Physics Uspekhi, 2009-08, Vol.52 (8), p.865-866
2009
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Novel Closing Switches Based on Propagation of Fast Ionization Fronts in Semiconductors
IEEE transactions on plasma science, 2008, Vol.36 (2), p.378-382
2008
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Novel Closing Switches on the Base of Fast Ionization Fronts in Semiconductors
2007 IEEE 34th International Conference on Plasma Science (ICOPS), 2007, p.432-432
2007
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High-power semiconductor-based nano and subnanosecond pulse generator with a low delay time: Special issue on power modulators and repetitive pulsed power
IEEE transactions on plasma science, 2005, Vol.33 (4), p.1240-1244
2005
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Sub-nanosecond semiconductor opening switches based on 4H–SiC p+pon+-diodes
Solid-state electronics, 2003-10, Vol.47 (10), p.1769-1774
2003
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Andrei Nikolaevich Lagarkov (on his 70th birthday)
Uspehi fiziceskih nauk, 2009, Vol.179 (8), p.919
2009
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Sub-nanosecond semiconductor opening switches based on 4H–SiC p +p on +-diodes
Solid-state electronics, 2003, Vol.47 (10), p.1769-1774
2003
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Reverse Current Recovery in 4H-SiC Diodes with n- and p-Base
Materials science forum, 2003, Vol.433-436, p.855-858
2003
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