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Observation of single-defect memristor in an MoS2 atomic sheet
Nature nanotechnology, 2021-01, Vol.16 (1), p.58-62
2021
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Atomristor: Nonvolatile Resistance Switching in Atomic Sheets of Transition Metal Dichalcogenides
Nano letters, 2018-01, Vol.18 (1), p.434-441
2018
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Zero-static power radio-frequency switches based on MoS2 atomristors
Nature communications, 2018-06, Vol.9 (1), p.1-7, Article 2524
2018
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Thinnest Nonvolatile Memory Based on Monolayer h‐BN
Advanced materials (Weinheim), 2019-04, Vol.31 (15), p.e1806790-n/a
2019
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Electron irradiation-induced defects for reliability improvement in monolayer MoS2-based conductive-point memory devices
NPJ 2D materials and applications, 2022-05, Vol.6 (1), p.1-12, Article 31
2022
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ReSe2-Based RRAM and Circuit-Level Model for Neuromorphic Computing
Frontiers in nanotechnology, 2021-11, Vol.3
2021
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A Library of Atomically Thin 2D Materials Featuring the Conductive‐Point Resistive Switching Phenomenon
Advanced materials (Weinheim), 2021-02, Vol.33 (7), p.e2007792-n/a
2021
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Understanding of multiple resistance states by current sweeping in MoS2-based non-volatile memory devices
Nanotechnology, 2020-11, Vol.31 (46), p.465206-465206
2020
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Understanding of multiple resistance states by current sweeping in MoS 2 -based non-volatile memory devices
Nanotechnology, 2020-11, Vol.31 (46), p.465206
2020
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Nanoindentation of Si1−xGex thin films prepared by biased target ion beam deposition
2014 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices, 2014, p.210-213
2014
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On the stochastic nature of conductive points formation and their effects on reliability of MoS2 RRAM: Experimental characterization and Monte Carlo simulation
Microelectronics and reliability, 2021-11, Vol.126, p.114274, Article 114274
2021
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Signatures of bright-to-dark exciton conversion in corrugated MoS2 monolayers
Applied surface science, 2022-10, Vol.600, p.154078, Article 154078
2022
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Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices
Advanced electronic materials, 2019-01, Vol.5 (1), p.n/a
2019
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Resistance state evolution under constant electric stress on a MoS 2 non-volatile resistive switching device
RSC advances, 2020-11, Vol.10 (69), p.42249-42255
2020
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Wafer-Scalable Single-Layer Amorphous Molybdenum Trioxide
ACS nano, 2022-03, Vol.16 (3), p.3756-3767
2022
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Electrodeposition of porous graphene networks on nickel foams as supercapacitor electrodes with high capacitance and remarkable cyclic stability
Nanoscale research letters, 2014-12, Vol.9 (1), p.2496-2496, Article 672
2014
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A Library of Atomically Thin 2D Materials Featuring the Conductive-Point Resistive Switching Phenomenon
Advanced materials (Weinheim), 2020-12, Vol.NA (NA)
2020
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Understanding of Multiple Resistance States by Current-sweep Measurement and Compliance Current Modulation in 2D MoS2-based Non-volatile Resistance Switching Devices
2020 Device Research Conference (DRC), 2020, p.1-2
2020
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Resistance state evolution under constant electric stress on a MoS2 non-volatile resistive switching device
RSC advances, 2020-11, Vol.10 (69), p.42249-42255
2020
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Resistance state evolution under constant electric stress on a MoS non-volatile resistive switching device
RSC advances, 2020-11, Vol.1 (69), p.42249-42255
2020
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Observation of single-defect memristor in an MoS 2 atomic sheet
Nature nanotechnology, 2021-01, Vol.16 (1), p.58
2021
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Zero-static power radio-frequency switches based on MoS 2 atomristors
Nature communications, 2018-06, Vol.9 (1), p.2524
2018
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2D RRAM and Verilog-A model for Neuromorphic Computing
2021 IEEE 16th Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2021, p.1-4
2021
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Atomristors: Non-Volatile Resistance Switching in 2D Monolayers
2020 Pan Pacific Microelectronics Symposium (Pan Pacific), 2020, p.1-6
2020
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Universal Non-Volatile Resistive Switching Behavior in 2D Metal Dichalcogenides Featuring Unique Conductive-Point Random Access Memory Effect
2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2021, p.1-3
2021
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