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Accounting for the Porosity of the Material in the Simulation of the Time-Dependent Dielectric Breakdown in the Metallization System of Integrated Circuits
Russian microelectronics, 2022-12, Vol.51 (8), p.633-636
2022
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Computer Modeling of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of HfO2 and ZrO2
Russian microelectronics, 2023-12, Vol.52 (Suppl 1), p.S184-S193
2023
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Accounting of the porosity of the material in the simulation of the time-dependent dielectric breakdown in the metallization system of integrated circuits
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering, 2022-01, Vol.24 (4), p.242-247
2022
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