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NO2 sensor based on InP epitaxial thin layers
Thin solid films, 1999-07, Vol.348 (1-2), p.266-272
1999
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Electrical characterization of InP epitaxial layers using mobility spectrum technique
Applied surface science, 1999-04, Vol.142 (1), p.455-459
1999
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Some applications of elastic peak electron spectroscopy for semiconductor surface studies
Surface and interface analysis, 1998-11, Vol.26 (12), p.903-907
1998
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Kinetic study of Si incorporation in InP by the hydride vapour phase epitaxy
Journal of crystal growth, 1998-09, Vol.192 (3), p.402-409
1998
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Epitaxial growth of InAsxP1-x/InP quantum wells by HVPE
Applied surface science, 1999-04, Vol.142 (1-4), p.637-641
1999
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NO 2 sensor based on InP epitaxial thin layers
Thin solid films, 1999-07, Vol.348 (1-2), p.266-272
1999
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NO sub(2) sensor based on InP epitaxial thin layers
Thin solid films, 1999-01, Vol.348 (1), p.266-272
1999
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Epitaxial growth of InAs xP 1− x/InP quantum wells by HVPE
Applied surface science, 1999, Vol.142 (1), p.637-641
1999
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Assessing advanced methods in XPS and HAXPES for determining the thicknesses of high-k oxide materials: From ultra-thin layers to deeply buried interfaces
Applied surface science, 2023-01, Vol.609, p.155317, Article 155317
2023
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New directions in the analysis of buried interfaces for device technology by hard X-ray photoemission
Faraday discussions, 2022-08, Vol.236, p.288-31
2022
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Combined angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy, density functional theory and kinetic study of nitridation of gallium arsenide
Applied surface science, 2018-01, Vol.427, p.662-669
2018
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Open Access
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Investigation of N2 plasma GaAs surface passivation efficiency against air exposure: Towards an enhanced diode
Applied surface science, 2022-03, Vol.579, p.152191, Article 152191
2022
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Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy intensity modeling of SiNx ultrathin layer grown on Si (100) and Si (111) substrates by N2 plasma treatment
Thin solid films, 2024-06, Vol.798, p.140388, Article 140388
2024
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Charge and spin transport over record distances in GaAs metallic n -type nanowires
Physical review. B, 2021-05, Vol.103 (19), p.1, Article 195314
2021
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Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations
Journal of physical chemistry. C, 2024-03, Vol.128 (12), p.5168-5178
2024
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Si Doping of Vapor–Liquid–Solid GaAs Nanowires: n‑Type or p‑Type?
Nano letters, 2019-07, Vol.19 (7), p.4498-4504
2019
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Study of GaN layer crystallization on GaAs(100) using electron cyclotron resonance or glow discharge N2 plasma sources for the nitriding process
Applied surface science, 2019-11, Vol.495, p.143586, Article 143586
2019
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Composition and optical properties tunability of hydrogenated silicon carbonitride thin films deposited by reactive magnetron sputtering
Applied surface science, 2018-06, Vol.444, p.293-302
2018
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DFT and experimental FTIR investigations of early stages of (0 0 1) and (1 1 1)B GaAs surface nitridation
Applied surface science, 2019-01, Vol.465, p.787-794
2019
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Anomalous ambipolar transport in depleted GaAs nanowires
Physical review. B, 2022-05, Vol.105 (19), Article 195204
2022
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Fast Growth Synthesis of GaAs Nanowires with Exceptional Length
Nano letters, 2010-05, Vol.10 (5), p.1836-1841
2010
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Spin precession of light holes in the spin-orbit field of strained GaAs nanowires
Physical review. B, 2023-11, Vol.108 (20), Article 205402
2023
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Charge and spin transport over record distances in GaAs metallic n -type nanowires
Physical review. B, 2021-05, Vol.103 (19)
2021
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XPS, EPMA and microstructural analysis of a defective industrial plasma-nitrided steel
Surface & coatings technology, 2008-08, Vol.202 (24), p.5887-5894
2008
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Elastic reflection of electrons by porous silicon layered (PSL) surfaces: effects of porosity
Applied surface science, 1997-06, Vol.115 (2), p.111-115
1997
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