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Silicon Carbide
1. Aufl., 2011
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Ruggedness of SiC devices under extreme conditions
2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2020, p.1-5
2020
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A Comparative Study of 1-Year Postprocedural Outcomes in Transcatheter Mitral Valve Repair in Advanced Primary Mitral Regurgitation: PASCAL vs. MitraClip
Journal of clinical medicine, 2024-01, Vol.13 (2), p.484
2024
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SiC Power Devices as Enabler for High Power Density - Aspects and Prospects
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.1104-1109
2014
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Epiphenomenon or Prognostically Relevant Interventional Target? A Novel Proportionality Framework for Severe Tricuspid Regurgitation
Journal of the American Heart Association, 2023-03, Vol.12 (6), p.e028737-e028737
2023
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Hemodynamic Performance of Two Current-Generation Transcatheter Heart Valve Prostheses in Severely Calcified Aortic Valve Stenosis
Journal of clinical medicine, 2022-08, Vol.11 (15), p.4570
2022
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The Problems with Teamwork, and How to Solve Them
1, 2020
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Silicon Carbide, Volume 2: Power Devices and Sensors
1, 2011
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Reliability of Nitrided Gate Oxides for N- and P-Type 4H-SiC(0001) Metal--Oxide--Semiconductor Devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-09, Vol.50 (9), p.090201-090201-3
2011
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Menschenrechtserziehung in der Schule: Ein kognitionspsychologisch orientiertes Konzept fur den Politikunterricht
1983rd edition, 2013
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Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications
1, 2011
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Special Issue on Wide Bandgap Power Devices and Their Applications, 2014
IEEE transactions on power electronics, 2014-05, Vol.29 (5), p.2153
2014
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Estimation of SiC JFET temperature during short-circuit operations
Microelectronics and reliability, 2009-09, Vol.49 (9), p.1358-1362
2009
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Reliability of Nitrided Gate Oxides for N- and P-Type 4H-SiC(0001) Metal–Oxide–Semiconductor Devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-09, Vol.50 (9R), p.90201
2011
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SiC High Power Devices – Challenges for Assembly and Thermal Management
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.869-872
2013
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Influence of the Oxidation Temperature and Atmosphere on the Reliability of Thick Gate Oxides on the 4H-SiC C(000-1) Face
Materials science forum, 2009-01, Vol.600-603, p.597-602
2009
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Application-Oriented Unipolar Switching SiC Devices
Materials science forum, 2002-04, Vol.389-393, p.1185-1190
2002
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Editorial: Special Issue on Wide Bandgap Power Devices and Their Applications, 2014
IEEE transactions on power electronics, 2014-05, Vol.29 (5), p.2153-2154
2014
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Menschenrechtserziehung in der Schule: Ein kognitionspsychologisch orientiertes Konzept für den Politikunterricht
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Charge Pumping Measurements on Differently Passivated Lateral 4H-SiC MOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 2015-01, Vol.62 (1), p.155-163
2015
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Interventionelle Therapie der Mitral- und der Trikuspidalinsuffizienz (Teil 2): Interventionelle Behandlungsstrategien
Die Kardiologie, 2024, Vol.18 (4), p.335-343
2024
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Interventionelle Therapie der Mitral- und der Trikuspidalinsuffizienz (Teil 1): Diagnostik und Indikation
Die Kardiologie, 2024, Vol.18 (3), p.281-288
2024
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Silicon Carbide
1. Aufl., 2011
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Reliability and robustness of SiC power devices - how to ensure the quality level established in the silicon world
2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022- ECCE Asia), 2022, p.648-654
2022
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Menschenrechtserziehung in der Schule: Ein Kognitionspsychologisch Orientiertes Konzept Für Den Politikunterricht
1, 1984
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