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Growth and properties of epitaxial rare-earth scandate thin films
Applied physics. A, Materials science & processing, 2006-04, Vol.83 (1), p.103-106
2006
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Rare-earth scandate single- and multi-layer thin films as alternative gate oxides for microelectronic applications
Microelectronic engineering, 2005-06, Vol.80, p.150-153
2005
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A gate-quality dielectric system for SiGe metal-oxide-semiconductor devices
IEEE electron device letters, 1991-05, Vol.12 (5), p.246-248
1991
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Separate and independent control of interfacial band alignments and dielectric constants in transition metal rare earth complex oxides
Microelectronic engineering, 2004-04, Vol.72 (1), p.288-293
2004
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Measurements of the Band Offsets Between Amorphous LaAlO3 and Silicon
Applied physics letters, 2004-02, Vol.84 (5)
2004
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Spectroscopic studies of the electrical structure of transition metal and rare earth complex oxides
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2004-03, Vol.21 (2), p.712-716
2004
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Interpretation of the photoelectron spectra of molecularly adsorbed CO
Solid state communications, 1975-08, Vol.17 (3), p.391-396
1975
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Interface states and the barrier height of Schottky diodes
Physics letters. A, 1993-02, Vol.173 (2), p.190-194
1993
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The analysis of complex samples by spectroscopic ellipsometry
Applied surface science, 1990-01, Vol.41-42, p.323-328
1990
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Silicide Schottky barriers: An elemental description
Solid state communications, 1980-01, Vol.33 (10), p.1059-1061
1980
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Schottky barriers: Models and “tests”
Surface science, 1983-01, Vol.132 (1), p.233-249
1983
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Interpretation of the photoelectron spectra of molecularly adsorbed CO
Solid state communications, 1993-12, Vol.88 (11), p.1079-1084
1993
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Schottky barrier: models and “tests”
Surface science letters, 1983-09, Vol.132 (1), p.A342-A342
1983
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Defective heterojunction models
Surface science, 1986-03, Vol.168 (1), p.518-530
1986
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SCHOTTKY BARRIERS: MODELS AND “TESTS”
Surfaces and Interfaces: Physics and Electronics, 1983, p.233-249
1983
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Electron spectroscopy study of hydrogenated amorphous carbon films formed by methane ion beam deposition
Thin solid films, 1984-01, Vol.120 (3), p.231-238
1984
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Dielectric function of SmS
Solid state communications, 1983-09, Vol.47 (9), p.677-680
1983
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The delocalized d-electrons in the semimagnetic alloy Cd1−xMnxTe
Solid state communications, 1982-01, Vol.44 (12), p.1547-1550
1982
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Dielectric function of SmS: I. Optical transitions
Solid state communications, 1983, Vol.47 (9), p.677-680
1983
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Defective heterojunction models
Surface science letters, 1986-03, Vol.168 (1), p.A129-A130
1986
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Radiation hard, double-graded, drift-dominated InP solar cells
3rd World Conference onPhotovoltaic Energy Conversion, 2003. Proceedings of, 2003, Vol.1, p.726-729 Vol.1
2003
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Separate and independent control of interfacial band alignments and dielectric constants in complex rare-earth/transition metal (Re/Tm) oxides
Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator (IEEE Cat. No.03EX765), 2003, p.112-118
2003
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The delocalized d-electrons in the semimagnetic alloy Cd 1−xMn xTe
Solid state communications, 1982, Vol.44 (12), p.1547-1550
1982
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Surface Fermi Level Engineering - Or There's More To Schottky Barriers Than Just The Arguments Among Physicists
LEOS 1991 Summer Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices. Photonics and Optoelectronics, 1991, p.27-28
1991
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Minority carrier lifetime results for SOI wafers
1995 IEEE International SOI Conference Proceedings, 1995, p.74-75
1995
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