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Nonpolar III-nitride vertical-cavity surface emitting lasers with a polarization ratio of 100% fabricated using photoelectrochemical etching
Applied physics letters, 2014-07, Vol.105 (3)
2014
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Determination of internal parameters for AlGaN-cladding-free m -plane InGaN/GaN laser diodes
Applied physics letters, 2011-10, Vol.99 (17), p.171115-171115-3
2011
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High-power blue-violet AlGaN-cladding-free m -plane InGaN/GaN laser diodes
Applied physics letters, 2011-10, Vol.99 (17), p.171113-171113-3
2011
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Erratum: “Nonpolar III-nitride vertical-cavity surface emitting lasers with a polarization ratio of 100% fabricated using photoelectrochemical etching” [Appl. Phys. Lett. 105 , 031111 (2014)]
Applied physics letters, 2014-08, Vol.105 (8)
2014
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Semipolar (}\bar}}\bar}}) InGaN/GaN Light-Emitting Diodes for High-Efficiency Solid-State Lighting
Journal of display technology, 2013-04, Vol.9 (4), p.190-198
2013
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Thin metal intracavity contact and lateral current-distribution scheme for GaN-based vertical-cavity lasers
Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (18)
2007
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Development of Nonpolar andSemipolar InGaN/GaN Visible Light-Emitting Diodes
MRS bulletin, 2009-05, Vol.34 (5), p.318-323
2009
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Thin metal intracavity contact and lateral current-distribution schemefor GaN-based vertical-cavity lasers
Applied physics letters, 2007-05, Vol.90 (18), p.181128-181128-3
2007
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Demonstration of a relaxed waveguide semipolar InGaN/GaN laser diode
2012 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2012, p.1-2
2012
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Semipolar (2021) laser diodes (λ=505nm) with wavelength-stable InGaN/GaN quantum wells
2012 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2012, p.1-2
2012
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Recent Performance of Nonpolar/Semipolar GaN-based Blue LEDs/LDs
LEOS 2007 - IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting Conference Proceedings, 2007, p.898-899
2007
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Nonpolar InGaN/GaN Core–Shell Single Nanowire Lasers
Nano letters, 2017-02, Vol.17 (2), p.1049-1055
2017
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Differential carrier lifetime and transport effects in electrically injected III-nitride light-emitting diodes
Journal of applied physics, 2017-07, Vol.122 (3)
2017
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Differences in electrical responses and recovery of GaN p+n diodes on sapphire and freestanding GaN subjected to high dose 60Co gamma-ray irradiation
Journal of applied physics, 2021-06, Vol.129 (24)
2021
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Extreme Ultraviolet Radiation Pulsed Atom Probe Tomography of III-Nitride Semiconductor Materials
Journal of physical chemistry. C, 2021-02, Vol.125 (4), p.2626-2635
2021
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Open Access
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Impact of high-dose gamma-ray irradiation on electrical characteristics of N-polar and Ga-polar GaN p–n diodes
AIP advances, 2021-02, Vol.11 (2), p.025009-025009-8
2021
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Open Access
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Effects of fast and thermal neutron irradiation on Ga-polar and N-polar GaN diodes
Journal of applied physics, 2023-01, Vol.133 (1)
2023
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High-voltage regrown nonpolar m-plane vertical p-n diodes: A step toward future selective-area-doped power switches
IEEE electron device letters, 2019-03, Vol.40 (3)
2019
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High-Voltage Regrown Nonpolar -Plane Vertical p-n Diodes: A Step Toward Future Selective-Area-Doped Power Switches
IEEE electron device letters, 2019-03, Vol.40 (3), p.387-390
2019
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Three-dimensional GaN templates for molecular beam epitaxy of nonpolar InGaN/GaN coaxial light-emitting diodes
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2013-05, Vol.31 (3)
2013
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