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Growth of thick p-type SiC epitaxial layers by halide chemical vapor deposition
Journal of crystal growth, 2008-08, Vol.310 (18), p.4088-4093
2008
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Growth kinetics study in halide chemical vapor deposition of SiC
Journal of crystal growth, 2005-10, Vol.284 (1), p.112-122
2005
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Effects of composition on dislocation microstructure and stress in Si-doped Al x Ga 1− x N
Journal of crystal growth, 2010, Vol.312 (8), p.1301-1306
2010
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Synthesis of thin carbon films on 4H-SiC by low temperature extraction of Si with HCl
Carbon (New York), 2010-08, Vol.48 (9), p.2671-2673
2010
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Effects of composition on dislocation microstructure and stress in Si-doped AlxGa1―xN
Journal of crystal growth, 2010-04, Vol.312 (8), p.1301-1306
2010
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Effects of hydrogen on the properties of SiC crystals grown by physical vapor transport: Thermodynamic considerations and experimental results
Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (2), p.339-343
2006
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Electrical properties and deep levels spectra of bulk SiC crystals grown by hybrid physical–chemical vapor transport method
Journal of crystal growth, 2007-03, Vol.300 (2), p.314-318
2007
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Evolution of Deep Defect Centers in Semi-Insulating 4H-SiC Substrates under High-Temperature Annealing
Journal of electronic materials, 2009-04, Vol.38 (4), p.551-556, Article 551
2009
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Nonuniformities of electrical resistivity in undoped 6H-SiC wafers
Journal of applied physics, 2005-06, Vol.97 (11), p.113705-113705-6
2005
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Properties of 6H-SiC crystals grown by hydrogen-assisted physical vapor transport
Applied physics letters, 2005-05, Vol.86 (20), p.202102-202102-3
2005
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Behaviour of defects in semi-insulating 4H-SiC after ultra-high temperature anneal treatments
Physica. B, Condensed matter, 2007-12, Vol.401, p.77-80
2007
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Growth of 6H-SiC crystals with low boron concentration
Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (2), p.363-366
2006
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GHz devices from epitaxial graphene on SiC
2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009, p.1-2
2009
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