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Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys

Nature (London), 2020-04, Vol.580 (7802), p.205-209

2020

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Observation of Conductance Quantization in InSb Nanowire Networks

Nano letters, 2017-11, Vol.17 (11), p.6511-6515

2017

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Unveiling Planar Defects in Hexagonal Group IV Materials

Nano letters, 2021-04, Vol.21 (8), p.3619-3625

2021

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Probing Lattice Dynamics and Electronic Resonances in Hexagonal Ge and SixGe1–x Alloys in Nanowires by Raman Spectroscopy

ACS nano, 2020-06, Vol.14 (6), p.6845-6856

2020

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Probing Lattice Dynamics and Electronic Resonances in Hexagonal Ge and Si x Ge 1- x Alloys in Nanowires by Raman Spectroscopy

ACS nano, 2020-06, Vol.14 (6), p.6845-6856

2020

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Growth‐Related Formation Mechanism of I3‐Type Basal Stacking Fault in Epitaxially Grown Hexagonal Ge‐2H

Advanced materials interfaces, 2022-06, Vol.9 (16), p.n/a

2022

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Nanosecond Carrier Lifetime of Hexagonal Ge

ACS photonics, 2024-10, Vol.11 (10), p.4258-4267

2024

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InSb Nanowires with Built-In GaxIn1-xSb Tunnel Barriers for Majorana Devices

Nano letters, 2017-02, Vol.17 (2), p.721-727

2017

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Low Surface Recombination in Hexagonal SiGe Alloy Nanowires: Implications for SiGe-Based Nanolasers

ACS applied nano materials, 2024-01, Vol.7 (2), p.2343-2351

2024

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InSb Nanowires with Built-In Ga x In 1-x Sb Tunnel Barriers for Majorana Devices

Nano letters, 2017-02, Vol.17 (2), p.721-727

2017

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Onset of uncontrolled polytypism during the Au-catalyzed growth of wurtzite GaAs nanowires

Physical review materials, 2024-02, Vol.8 (2), Article L020401

2024

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Probing Lattice Dynamics and Electronic Resonances in Hexagonal Ge and Si x Ge1–x Alloys in Nanowires by Raman Spectroscopy

ACS nano, 2020-06, Vol.14 (6), p.6845-6856

2020

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InSb Nanowires with Built-In Ga x In1–x Sb Tunnel Barriers for Majorana Devices

Nano letters, 2017-02, Vol.17 (2), p.721-727

2017

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Crossed InSb nanowire junctions for Majorana operations

2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), 2016, p.1-2