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A new TCAD simulation method for direct CMOS electron detectors optimization
Ultramicroscopy, 2023-01, Vol.243, p.113628-113628, Article 113628
2023
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Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Pixel Performance Degradation Due to Total Ionizing Dose
IEEE transactions on nuclear science, 2012-12, Vol.59 (6), p.2878-2887
2012
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Overview of Ionizing Radiation Effects in Image Sensors Fabricated in a Deep-Submicrometer CMOS Imaging Technology
IEEE transactions on electron devices, 2009-11, Vol.56 (11), p.2594-2601
2009
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Identification of Radiation Induced Dark Current Sources in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
IEEE transactions on nuclear science, 2012-08, Vol.59 (4), p.918-926
2012
Open Access
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Generic Radiation Hardened Photodiode Layouts for Deep Submicron CMOS Image Sensor Processes
IEEE transactions on nuclear science, 2011-12, Vol.58 (6), p.3076-3084
2011
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Vulnerability of CMOS image sensors in Megajoule Class Laser harsh environment
Optics express, 2012-08, Vol.20 (18), p.20028-20042
2012
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Theoretical Models of Modulation Transfer Function, Quantum Efficiency, and Crosstalk for CCD and CMOS Image Sensors
IEEE transactions on electron devices, 2012-03, Vol.59 (3), p.729-737
2012
Open Access
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Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments
IEEE transactions on nuclear science, 2017-01, Vol.64 (1), p.45-53
2017
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Multi-MGy Radiation Hard CMOS Image Sensor: Design, Characterization and X/Gamma Rays Total Ionizing Dose Tests
IEEE transactions on nuclear science, 2015-12, Vol.62 (6), p.2956-2964
2015
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Radiation Effects in CMOS Isolation Oxides: Differences and Similarities With Thermal Oxides
IEEE transactions on nuclear science, 2013-08, Vol.60 (4), p.2623-2629
2013
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