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Analytical, optical and electrophysical investigations of TiB x–GaAs interface
Surface science, 2001, Vol.482, p.928-934
2001
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Analytical, optical and electrophysical investigations of TiBx–GaAs interface
Surface science, 2001-06, Vol.482-485, p.928-934
2001
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The effect of composition on the properties and defect structure of the CdS-Ga2S3 solid solution
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2002-07, Vol.36 (7), p.763-771
2002
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On the nature of transition layer and heat tolerance of TiBx/GaAs-based contacts
Applied surface science, 2000-10, Vol.166 (1-4), p.520-525
2000
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On the nature of transition layer and heat tolerance of TiB x/GaAs-based contacts
Applied surface science, 2000, Vol.166 (1), p.520-525
2000
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Mechanisms of the temperature quenching of luminescence due to deep centres in CdSe xTe 1− x (0 < × < 1) alloys
Thin solid films, 1987, Vol.146 (3), p.233-239
1987
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Photosensitivity and spectra of deep local states in sintered films of cadmium selenide and cadmium telluride alloys
Thin solid films, 1986-10, Vol.143 (3), p.225-235
1986
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Mechanisms of the temperature quenching of luminescence due to deep centres in CdSexTe1-x (0<x<1) alloys
Thin solid films, 1987-02, Vol.146 (3), p.233-239
1987
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Photoluminescent investigation of the effect of ultrasonic treatment upon defect states in M/n-n/sup +/ GaAs (M=Pt,W,Cr)
ASDAM '98. Conference Proceedings. Second International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (Cat. No.98EX172), 1998, p.223-226
1998
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Effect of lithium on the formation of sensitizing centres in CdSe films
Thin solid films, 1974-01, Vol.22 (2), p.157-164
1974
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The influence of physical and chemical factors upon thermal and radiation stability of TiN-GaAs and TiB/sub 2/-GaAs contacts
ASDAM '98. Conference Proceedings. Second International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (Cat. No.98EX172), 1998, p.263-266
1998
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Effect of microwave radiation on the physicochemical properties of some semiconductor materials (GaAs, GaP, InP) and heterostructures, as well as on the parameters of surface-barrier diode structures
CAS '99 Proceedings. 1999 International Semiconductor Conference (Cat. No.99TH8389), 1999, Vol.1, p.385-388 vol.1
1999
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Electron-phonon interactions at radiative carrier capture on deep centers in cadmium sulfide single crystals
Journal of luminescence, 1975-01, Vol.10 (1), p.58-68
1975
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Effect of surface states on luminescent properties of CdS single crystals
Surface science, 1971, Vol.24 (1), p.229-238
1971
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