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Y-Branch Surface-Etched Distributed Bragg Reflector Lasers at 850 nm for Optical Heterodyning
IEEE photonics technology letters, 2007-10, Vol.19 (20), p.1610-1612
2007
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InGaAs/GaAs 3D architecture formation by strain-induced self-rolling with lithographically defined rectangular stripe arrays
Journal of crystal growth, 2008-04, Vol.310 (7), p.2353-2358
2008
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Controlled fabrication of InGaAs quantum dots by selective area epitaxy MOCVD growth
Journal of crystal growth, 2004-12, Vol.272 (1), p.148-153
2004
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Room-temperature operation of patterned quantum-dot lasers fabricated by electron beam lithography and selective area metal-organic chemical vapor deposition
IEEE photonics technology letters, 2005-05, Vol.17 (5), p.935-937
2005
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High performance laser with nanopatterned active layer by selective area epitaxy
Electronics letters, 2005-09, Vol.41 (20), p.1122-1124
2005
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A Novel Ordered Nanopore Array Diode Laser
IEEE photonics technology letters, 2008-02, Vol.20 (4), p.240-242
2008
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Analysis of interface layers by spectroscopic ellipsometry
Applied surface science, 2008-11, Vol.255 (3), p.640-642
2008
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Narrow-linewidth asymmetric cladding distributed Bragg reflector semiconductor lasers at 850 nm
IEEE photonics technology letters, 2006-01, Vol.18 (1), p.97-99
2006
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Curved waveguides for spatial mode filters in semiconductor lasers
IEEE photonics technology letters, 2004-01, Vol.16 (1), p.12-14
2004
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Spectral and threshold performance of patterned quantum dot lasers
Physica status solidi. C, 2006-03, Vol.3 (3), p.508-511
2006
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Open Access
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Nanoscale selective area epitaxy: From semiconductor lasers to single-photon sources
Progress in quantum electronics, 2021-01, Vol.75, p.100305, Article 100305
2021
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Curved Waveguide Array Diode Lasers for High-Brightness Applications
IEEE photonics technology letters, 2008-07, Vol.20 (13), p.1085-1087
2008
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Surface emitting lasers by selective area epitaxy for optical clock distribution
Electronics letters, 2002-07, Vol.38 (15), p.794-795
2002
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Nanoscale selective area epitaxy for optoelectronic devices
Progress in quantum electronics, 2007, Vol.31 (6), p.225-257
2007
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Extending the 1-D Hovel Model for Coherent and Incoherent Back Reflections in Homojunction Solar Cells
IEEE journal of quantum electronics, 2013-05, Vol.49 (5), p.462-470
2013
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Selective growth of InAs quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2002-07, Vol.8 (4), p.833-838
2002
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Ballistic-phonon heat conduction at the nanoscale as revealed by time-resolved x-ray diffraction and time-domain thermoreflectance
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2007-08, Vol.76 (7), Article 075337
2007
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The role of the InGaAs surface in selective area epitaxy of quantum dots by indium segregation
Applied physics letters, 2004-04, Vol.84 (16), p.3031-3033
2004
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  • BibTeX
An Analytical Model for the Ordered Nanopore Array Diode Laser
IEEE journal of quantum electronics, 2009-01, Vol.45 (1), p.10-20
2009
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Nano on nano
IEEE circuits and devices magazine, 2003-05, Vol.19 (3), p.26-31
2003
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Mobile Solar Power
IEEE journal of photovoltaics, 2013-01, Vol.3 (1), p.535-541
2013
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Scattering loss and effective index step of asymmetric cladding surface-etched distributed Bragg reflector lasers at 850 nm
Journal of applied physics, 2007-03, Vol.101 (5)
2007
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Internal loss, modal characteristics, and bend loss of asymmetric cladding ridge waveguide lasers at 850 nm
Journal of applied physics, 2008-01, Vol.103 (1), p.013108-013108-6
2008
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Widely tunable 850-nm metal-filled asymmetric cladding distributed Bragg reflector lasers
IEEE journal of quantum electronics, 2006-07, Vol.42 (7), p.667-674
2006
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Scattering loss and effective index step of asymmetric claddingsurface-etched distributed Bragg reflector lasers at 850 nm
Journal of applied physics, 2007-03, Vol.101 (5), p.053116-053116-6
2007
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