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Mutual passivation of electrically active and isovalent impurities
Nature materials, 2002-11, Vol.1 (3), p.185-189
2002
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Doping and defect control of ferromagnetic semiconductors formed by ion implantation and pulsed-laser melting
Physica. B, Condensed matter, 2006-04, Vol.376, p.630-634
2006
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Diluted II-VI oxide semiconductors with multiple band gaps
Physical review letters, 2003-12, Vol.91 (24), p.246403-246403, Article 246403
2003
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Compositional tuning of ferromagnetism in Ga1-xMnxP
Solid state communications, 2006-12, Vol.140 (9-10), p.443-446
2006
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THz transient photoconductivity of the III-V dilute nitride GaPyAs1−y−xNx
Semiconductor science and technology, 2018-12, Vol.33 (12)
2018
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On the rotational alignment of graphene domains grown on Ge(110) and Ge(111)
MRS communications, 2015-09, Vol.5 (3), p.539-546
2015
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Metal-insulator transition by isovalent anion substitution in Ga1-xMnxAs: implications to ferromagnetism
Physical review letters, 2008-08, Vol.101 (8), p.087203-087203
2008
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Correlation between structure and electrical transport in ion-irradiated graphene grown on Cu foils
Applied physics letters, 2010-11, Vol.98
2010
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Doping of GaN{sub 1-x}As{sub x} with high As content
Journal of applied physics, 2011-09, Vol.110 (9)
2011
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Non-magnetic compensation in ferromagnetic Ga1-xMnxAs and Ga1-xMnxP synthesized by ion implantation and pulsed-laser melting
Journal of applied physics, 2008-02, Vol.103
2008
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Synthesis and optical properties of II-O-VI highly mismatched alloys
Journal of applied physics, 2004-06, Vol.95 (11), p.6232-6238
2004
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Synthesis of highly mismatched alloys using ion implantation and pulsed laser melting
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2007-08, Vol.261 (1-2), p.1150-1154
2007
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Low-Temperature Si (111) Homoepitaxy and Doping Mediated by a Monolayer of Pb
MRS proceedings, 1999, Vol.570, Article 45
1999
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Hydrogen patterning of Ga1−xMnxAs for planar spintronics
Physica. B, Condensed matter, 2007-12, Vol.401-402, p.447-450
2007
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Diluted magnetic semiconductors formed by ion implantation and pulsed-laser melting
Physica. B, Condensed matter, 2003-12, Vol.340-342, p.908-912
2003
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Sculpting the shape of semiconductor heteroepitaxial islands: fromdots to rods
Physical review letters, 2006-06, Vol.98 (10)
2006
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Enhanced nitrogen incorporation by pulsed laser annealing of GaNxAs1−x formed by N ion implantation
Applied physics letters, 2002-05, Vol.80 (21), p.3958-3960
2002
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Hydrogen patterning of Ga 1− x Mn x As for planar spintronics
Physica. B, Condensed matter, 2007, Vol.401, p.447-450
2007
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Morphological evolution of Ge islands on Au-patterned Si
Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (2), p.518-521
2006
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Ferromagnetism in Ga1-xMnxP: evidence for inter-Mn exchangemediated bylocalized holes within a detached impurity band
Physical review letters, 2005-01, Vol.95 (20)
2005
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Multiband GaNAsP Quaternary Alloys
Applied physics letters, 2005-12, Vol.88
2005
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Mn L(3,2) X-Ray Absorption And Magnetic Circular Dichroism in Ferromagnetic Ga(1-X) MN(X) P
Applied physics letters, 2007-08, Vol.89
2007
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Mn L3,2 X-ray absorption and magnetic circular dichroism inferromagnetic Ga1-xMnxP
Applied physics letters, 2006-03, Vol.89 (1)
2006
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Compositional tuning of ferromagnetism in Ga 1− x Mn x P
Solid state communications, 2006, Vol.140 (9), p.443-446
2006
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Effects of pressure on the band structure of highly mismatched Zn{sub 1-y}Mn{sub y}O{sub x}Te{sub 1-x} alloys
Applied physics letters, 2003-09, Vol.84 (6)
2003
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