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Mechanism of low Ohmic contact resistance to p-type GaN by suppressed edge dislocations
Applied physics letters, 2022-05, Vol.120 (22)
2022
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Open Access
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Erratum: “Low ohmic contact resistivity realized by in situ SiNx insertion for high Al-composition-AlGaN/GaN heterostructure” [Appl. Phys. Lett. 121, 172102 (2022)]
Applied physics letters, 2024-01, Vol.124 (3)
2024
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Low ohmic contact resistivity realized by in situ SiNx insertion for high Al-composition-AlGaN/GaN heterostructure
Applied physics letters, 2022-10, Vol.121 (17)
2022
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Ultra-thin AlGaN/GaN HFET with a high breakdown voltage on sapphire substrates
Applied physics letters, 2021-12, Vol.119 (25)
2021
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Oxygen annealing impact on β-Ga2O3 MOSFETs: Improved pinch-off characteristic and output power density
Applied physics letters, 2020-09, Vol.117 (13)
2020
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High-Al-composition AlGaN/GaN MISHEMT on Si with fT of 320 GHz
Science China. Information sciences, 2024-06, Vol.67 (6), p.169402, Article 169402
2024
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High-Performance E-Mode p-Channel GaN FinFET on Silicon Substrate With High ION/IOFF and High Threshold Voltage
IEEE electron device letters, 2022-05, Vol.43 (5), p.705-708
2022
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High-Performance AlN/GaN MISHEMTs on Si With In-Situ SiN Enhanced Ohmic Contacts for Mobile mm-Wave Front-End Applications
IEEE electron device letters, 2023-06, Vol.44 (6), p.911-914
2023
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E-mode AlN/GaN HEMTs on Si with 80.4% PAE at 3.6 GHz for Low-Supply-Voltage RF Power Applications
IEEE electron device letters, 2024, p.1-1
2024
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GaN High-Electron-Mobility-Transistor on Free- Standing GaN Substrate With Low Contact Resistance and State-of-the-Art f T × L G Value
IEEE transactions on electron devices, 2022-03, Vol.69 (3), p.968-972
2022
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High-Performance E-Mode p -Channel GaN FinFET on Silicon Substrate With High I ON / I OFF and High Threshold Voltage
IEEE electron device letters, 2022-05, Vol.43 (5), p.705-708
2022
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Open Access
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Deep sub-60 mV/dec subthreshold swing independent of gate bias sweep direction in an in situ SiN/Al0.6Ga0.4N/GaN-on-Si metal-insulator high electron mobility transistor
Applied physics letters, 2023-04, Vol.122 (15)
2023
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GaN High-Electron-Mobility-Transistor on Free- Standing GaN Substrate With Low Contact Resistance and State-of-the-Art fT × LG Value
IEEE transactions on electron devices, 2022-03, Vol.69 (3), p.968-972
2022
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6-inch GaN-on-Si Fabrication Technolgies for Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs)
International Conference on Integrated Circuit Design and Technology : proceedings, 2024, p.1-4
2024
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Design of a Broadband GaN-on-Si Monolithic Millimeter-Wave Transceiver Multi-Function Chip
International Conference on Integrated Circuit Design and Technology : proceedings, 2024, p.1-4
2024
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GaN Surface Acoustic Wave Resonaters on Si Substrate for RF Applications
International Conference on Integrated Circuit Design and Technology : proceedings, 2024, p.1-4
2024
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120 nm GaN HEMTs on a Si Substrate for Mm-Wave Mobile SoC Applications
International Conference on Integrated Circuit Design and Technology : proceedings, 2024, p.1-4
2024
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GaN-on-Si Solid-State Electronic Devices for Multipliers Applications
International Conference on Integrated Circuit Design and Technology : proceedings, 2024, p.1-4
2024
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Strong Polarization AlN/GaN/Si Heterojunction MIS-HEMT for Mm-Wave Low-Voltage Terminal Applications
International Conference on Integrated Circuit Design and Technology : proceedings, 2024, p.1-3
2024
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Open Access
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High-density 2D hole gas in p-GaN/AlN/AlGaN on a silicon substrate with polarization-enhanced Mg ionization
Fundamental research (Beijing), 2024
2024
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InAlN/GaN MISHEMTs With 120 nm T-Shape Recessed Gates on Silicon With Excellent mm-Wave Noise Performance
IEEE microwave and wireless technology letters (Print), 2024-04, Vol.34 (4), p.399-402
2024
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Demonstration of p-\text GaN FinFETs on Silicon Substrates with Ultrahigh Current ON/OFF Ratio of 109 and Reduced Interface Trap Density
2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2023, p.1-3
2023
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