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  • BibTeX
High Performance of AlGaN/GaN HEMTs Reported on Adhesive Flexible Tape
IEEE electron device letters, 2011-02, Vol.32 (2), p.143-145
2011
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Fabrication, Characterization, and Physical Analysis of AlGaN/GaN HEMTs on Flexible Substrates
IEEE transactions on electron devices, 2013-03, Vol.60 (3), p.1054-1059
2013
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Ultrathin InAlN/AlN Barrier HEMT With High Performance in Normally Off Operation
IEEE electron device letters, 2009-10, Vol.30 (10), p.1030-1032
2009
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Comparative Sb and As segregation at the InP on GaAsSb interface
Applied physics letters, 2008-09, Vol.93 (12), p.123119-123119-3
2008
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Thermal resistance of AlGaN/GaN HEMTs on SopSiC composite substrate
Electronics letters, 2010-06, Vol.46 (13), p.949-950
2010
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Proposal and Performance Analysis of Normally Off \hbox^ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs With 1-nm-Thick InAlN Barrier
IEEE transactions on electron devices, 2010-09, Vol.57 (9), p.2144-2154
2010
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High transconductance AlGaN/GaN HEMT with thin barrier on Si(111) substrate
2010 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, 2010, p.281-284
2010
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Reliability assessment in different HTO test conditions of AlGaN/GaN HEMTs
2010 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2010, p.139-145
2010
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Proposal and performance analysis of normally off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1-nm-thick InAlN barrier
IEEE transactions on electron devices, 2010-09, Vol.57, p.2144-2154
2010
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High Performance of AIGaN/GaN HEMTs Reported on Adhesive Flexible Tape
IEEE electron device letters, 2011, Vol.32 (2), p.143-145
2011
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AlGaN/GaN HEMT High Power Densities on SiC/SiO2/poly-SiC Substrates
IEEE electron device letters, 2009, Vol.30 (6), p.596-598
2009
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Thermal resistance of AlGaN/GaN HEMTs on SopSiC composite substrate
Electronics letters, 2010-06, Vol.46 (13), p.1-1
2010
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Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Microelectronics and reliability, 2009, Vol.49 (9), p.1216-1221
2009
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Low microwave noise of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on SiCopSiC substrates
Electronics letters, 2010-01, Vol.46 (1), p.1-1
2010
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Low microwave noise of AIGaN/GaN HEMTs fabricated on SiCopSiC substrates
Electronics letters, 2010, Vol.46 (1), p.84-85
2010
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Proposal and Performance Analysis of Normally Off [Formula Omitted] GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs With 1-nm-Thick InAlN Barrier
IEEE transactions on electron devices, 2010-09, Vol.57 (9), p.2144
2010
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  • BibTeX
AlGaN/GaN HEMT High Power Densities on [Formula Omitted]/poly-SiC Substrates
IEEE electron device letters, 2009-06, Vol.30 (6), p.596
2009
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  • BibTeX
AlGaN/GaN HEMT High Power Densities on \hbox \hbox/poly-SiC Substrates
IEEE electron device letters, 2009-06, Vol.30 (6), p.596-598
2009
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AlGaN/GaN HEMT High Power Densities onhbox{SiC/} hbox{SiO}_{2}/poly-SiC Substrates
IEEE electron device letters, 2009-06, Vol.30 (6), p.596-598
2009
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  • BibTeX
Low microwave noise of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on SiCopSiC substrates
Electronics letters, 2010, Vol.46 (1), p.84-85
2010
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Proposal and Performance Analysis of Normally Off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs With 1-nm-Thick InAlN B arrier
IEEE transactions on electron devices, 2010, Vol.57 (9), p.2144-2154
2010
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AlGaN/GaN HEMT High Power Densities on hbox SiC / hbox SiO 2 /poly-SiC Substrates
IEEE electron device letters, 2009-01, Vol.30 (6)
2009
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  • BibTeX
Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 2010, p.163-166
2010
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Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in A1GaN/GaN HEMTs
Microelectronics and reliability, 2009, Vol.49 (9-11), p.1216-1221
2009
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Analysis of AlGaN/GaN epi-material on resistive Si(111) substrate for MMIC applications in millimeter wave range
The 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, 2010, p.33-36
2010
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