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Flexible Gallium Nitride for High‐Performance, Strainable Radio‐Frequency Devices

Advanced materials (Weinheim), 2017-12, Vol.29 (47), p.n/a

2017

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Lateral β-Ga2O3 field effect transistors

Semiconductor science and technology, 2020, Vol.35 (1)

2020

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Electroluminescence Microscopy of Cross-Sectioned AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors

IEEE transactions on electron devices, 2016-04, Vol.63 (4), p.1459-1463

2016

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Flexible Gallium Nitride: Flexible Gallium Nitride for High‐Performance, Strainable Radio‐Frequency Devices (Adv. Mater. 47/2017)

Advanced materials (Weinheim), 2017-12, Vol.29 (47)

2017

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Flexible Gallium Nitride: Flexible Gallium Nitride for High‐Performance, Strainable Radio‐Frequency Devices (Adv. Mater. 47/2017)

Advanced materials (Weinheim), 2017-12, Vol.29 (47), p.n/a

2017

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Electrical and chemical analysis of Ti/Au contacts to β-Ga2O3

APL materials, 2021-06, Vol.9 (6)

2021

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Antisite arsenic incorporation in the low temperature MBE of gallium arsenide : Physics and modeling

Journal of electronic materials, 1998-05, Vol.27 (5), p.472-478

1998

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Self-trapping and ordering of heavy holes in the wide band-gap semiconductor β−Ga^sub 2^O^sub 3

Physical review. B, 2018-12, Vol.98 (24), p.1

2018

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Self-trapping and ordering of heavy holes in the wide band-gap semiconductor β − G a 2 O 3

Physical review. B, 2018-12, Vol.98 (24), Article 241413

2018

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Electrical and chemical analysis of Ti/Au contacts to β -Ga 2 O 3

APL materials, 2021-06, Vol.9 (6), p.61104

2021

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Lateral β-Ga 2 O 3 field effect transistors

Semiconductor science and technology, 2020-01, Vol.35 (1), p.13002

2020

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Calculation of giant third-order nonlinear susceptibilities due to excitonic processes in rectangular GaAs quantum well wires

Journal of applied physics, 1994-01, Vol.75 (1), p.639-641

1994

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Heuristic rules for group IV dopant site selection in III–V compounds

Journal of crystal growth, 1997-05, Vol.175-176, p.224-228

1997

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Theoretical study of antisite arsenic incorporation in the low temperature molecular beam epitaxy of gallium arsenide

Journal of applied physics, 1998-06, Vol.83 (11), p.5845-5851

1998

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Molecular-beam epitaxial growth surface roughening kinetics of Ge (001): A theoretical study

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 1993-03, Vol.11 (2), p.253-258

1993

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