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Field-Effect Transistors Built from All Two-Dimensional Material Components
ACS nano, 2014-06, Vol.8 (6), p.6259-6264
2014
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Gold-Mediated Exfoliation of Ultralarge Optoelectronically-Perfect Monolayers
Advanced materials (Weinheim), 2016-06, Vol.28 (21), p.4053-4058
2016
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Strong interlayer coupling in van der Waals heterostructures built from single-layer chalcogenides
Proceedings of the National Academy of Sciences - PNAS, 2014-04, Vol.111 (17), p.6198-6202
2014
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Large-area and bright pulsed electroluminescence in monolayer semiconductors
Nature communications, 2018-03, Vol.9 (1), p.1229-7, Article 1229
2018
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MoS₂ transistors with 1-nanometer gate lengths
Science (American Association for the Advancement of Science), 2016-10, Vol.354 (6308), p.99-102
2016
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Highly Sensitive Bulk Silicon Chemical Sensors with Sub‑5 nm Thin Charge Inversion Layers
ACS nano, 2018-03, Vol.12 (3), p.2948-2954
2018
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Monolithic 3D CMOS Using Layered Semiconductors
Advanced materials (Weinheim), 2016-04, Vol.28 (13), p.2547-2554
2016
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MoS2 Heterojunctions by Thickness Modulation
Scientific reports, 2015-06, Vol.5 (1), p.10990-10990, Article 10990
2015
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High-gain monolithic 3D CMOS inverter using layered semiconductors
Applied physics letters, 2017-11, Vol.111 (22)
2017
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Gate Quantum Capacitance Effects in Nanoscale Transistors
Nano letters, 2019-10, Vol.19 (10), p.7130-7137
2019
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Direct growth of single-crystalline III-V semiconductors on amorphous substrates
Nature communications, 2016-01, Vol.7 (1), p.10502-6, Article 10502
2016
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Air stable n -doping of WSe2 by silicon nitride thin films with tunable fixed charge density
APL materials, 2014-09, Vol.2 (9), p.092504-092504-7
2014
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Ultrafast Spontaneous Emission from a Slot-Antenna Coupled WSe2 Monolayer
ACS photonics, 2018-07, Vol.5 (7), p.2701-2705
2018
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Bright electroluminescence in ambient conditions from WSe2 p-n diodes using pulsed injection
Applied physics letters, 2019-07, Vol.115 (1)
2019
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Strain-Induced Indirect to Direct Bandgap Transition in Multilayer WSe 2
Nano letters, 2014-08, Vol.14 (8), p.4592-4597
2014
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Strain-Induced Indirect to Direct Bandgap Transition in Multilayer WSe2
Nano letters, 2014-08, Vol.14 (8), p.4592-4597
2014
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Bright electroluminescence in ambient conditions from WSe2 p-n diodes using pulsed injection
Applied physics letters, 2019-07, Vol.115 (1)
2019
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MoS 2 transistors with 1-nanometer gate lengths
Science (American Association for the Advancement of Science), 2016-10, Vol.354 (6308), p.99-102
2016
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Device Physics and Material Properties of Two-Dimensional Semiconductors
2018
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Ultrafast Spontaneous Emission from a Slot-Antenna Coupled WSe 2 Monolayer
ACS photonics, 2018-07, Vol.5 (7), p.2701-2705
2018
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Spatially Precise Transfer of Patterned Monolayer WS 2 and MoS 2 with Features Larger than 10 4 μm 2 Directly from Multilayer Sources
ACS applied electronic materials, 2019-03, Vol.1 (3), p.407-416
2019
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Air stable n-doping of WSe{sub 2} by silicon nitride thin films with tunable fixed charge density
APL materials, 2014-09, Vol.2 (9)
2014
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Enhanced spontaneous emission from an optical antenna coupled WSe2 monolayer
2015 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2015, p.1-2
2015
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2D layered materials: From materials properties to device applications
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2015, p.27.3.1-27.3.4
2015
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Bright Electroluminescence from Back-Gated WSe2 P-N Junctions Using Pulsed Injection
2018 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2018, p.1-2
2018
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