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Direct growth of Cu3(BTC)2(H2O)3·xH2O thin films on modified QCM-gold electrodes – Water sorption isotherms
Microporous and mesoporous materials, 2008-09, Vol.114 (1-3), p.380-386
2008
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Probing the Intrapore Surface of Phenyl-Substituted Nanoscale Mesoporous SilicaPiezoelectric Sorption Measurements in Thin Films
Langmuir, 2007-12, Vol.23 (26), p.12915-12922
2007
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Probing the Intrapore Surface of Phenyl-Substituted Nanoscale Mesoporous SilicaPiezoelectric Sorption Measurements in Thin Films
Langmuir, 2007-12, Vol.23 (26), p.12915-12922
2007
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Direct growth of Cu 3(BTC) 2(H 2O) 3 · xH 2O thin films on modified QCM-gold electrodes – Water sorption isotherms
Microporous and mesoporous materials, 2008, Vol.114 (1), p.380-386
2008
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Direct growth of Cu3(BTC)2(H2O)3 . Χ H2O thin films on modified QCM-gold electrodes : Water sorption isotherms
Microporous and mesoporous materials, 2008, Vol.114 (1-3), p.380-386
2008
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Capacitance characterization of GaP/n-Si structures grown by PE-ALD
Journal of physics. Conference series, 2017, Vol.917 (5), p.52027
2017
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Interface Properties of GaP/Si Heterojunction Fabricated by PE‐ALD
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2019-05, Vol.216 (10), p.n/a
2019
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Defect properties of InGaAsN layers grown as sub-monolayer digital alloys by molecular beam epitaxy
Journal of applied physics, 2018-04, Vol.123 (16), p.161418-161418
2018
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Open Access
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Influence of PE‐ALD of GaP on the Silicon Wafers Quality
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2017-12, Vol.214 (12), p.n/a
2017
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