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Selective epitaxial growth for the fabrication of CMOS integrated circuits
IEEE transactions on electron devices, 1984-12, Vol.31 (12), p.1741-1748
1984
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The characterization of heteroepitaxial silicon
Journal of crystal growth, 1982-01, Vol.56 (2), p.281-295
1982
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The effect of rapid early growth on the physical and electrical properties of heteroepitaxial silicon
Journal of crystal growth, 1975-01, Vol.31, p.274-283
1975
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Device characterization on monocrystalline silicon grown over SiO 2 by the ELO (epitaxial lateral overgrowth) process
IEEE electron device letters, 1983-02, Vol.4 (2), p.32-35
1983
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Device characterization on monocrystalline silicon grown over SiO2by the ELO (epitaxial lateral overgrowth) process
IEEE electron device letters, 1983-02, Vol.4 (2), p.32-35
1983
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Reduced pressure silicon epitaxy; A review
Journal of crystal growth, 1984-01, Vol.70 (1), p.230-252
1984
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Measurement of the near-surface crystallinity of silicon on sapphire by UV reflectance
Journal of crystal growth, 1982-01, Vol.58 (1), p.10-18
1982
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Relationship between crystallinity and electronic properties of silicon-on-sapphire
Journal of crystal growth, 1982-06, Vol.58 (1), p.37-43
1982
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Millimeter-Wave Device Technology
IEEE transactions on microwave theory and techniques, 1982-01, Vol.30 (1), p.47-55
1982
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Device characterization on monocrystalline silicon grown over SiO2by the ELO (epitaxial lateral overgrowth) process
1982 International Electron Devices Meeting, 1982, p.437-440
1982
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Optical characterization of silicon and sapphire surfaces as related to SOS discrete device performance
Journal of crystal growth, 1982-06, Vol.58 (1), p.19-36
1982
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The development of a dual rate technique for the growth of silicon-on-sapphire films
Journal of crystal growth, 1972-01, Vol.17, p.261-270
1972
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  • BibTeX
THE EFFECT OF RAPID EARLY GROWTH ON THE PHYSICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF HETEROEPITAXIAL SILICON
Vapour Growth and Epitaxy, 1975, p.274-283
1975
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