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Dislocations Propagation Study Trough High-Resolution 4H-SiC Substrate Mapping
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.276-279
2019
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Dislocations Analysis on Implanted (p-Type and n-Type) 4H-SiC Epi-Layer by KOH Molten Etching
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.408-413
2020
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An Approach to Predict 4H-SiC Wafer Bending after Back Side Thinning by Substrate Resistivity Analysis
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.57-62
2020
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Impact of Threading Dislocations Detected by KOH Etching on 4H-SiC 650 V MOSFET Device Failure after Reliability Test
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.472-476
2020
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High Quality 4H-SiC Epitaxial Layer by Tuning CVD Process
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.91-96
2019
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  • BibTeX
Hydrogen depth profiling and multi-energy proton implantation: SIMS as a tool for implant process control
Materials science in semiconductor processing, 2024-05, Vol.174, p.108219, Article 108219
2024
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Open Access
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Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.124-127
2018
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Hydrogen etching influence on 4H-SiC homo-epitaxial layer for high power device
2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), 2017-05, Vol.897, p.1-1
2017
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  • BibTeX
Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.535-538
2018
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  • BibTeX
Ion Implantation Defects in 4H-SiC DIMOSFET
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.418-421
2016
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Open Access
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  • BibTeX
3C-SiС Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiС Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices (CHALLENGE)
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.913-918
2018
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  • BibTeX
Voids-Free 3C-SiC/Si Interface for High Quality Epitaxial Layer
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.159-162
2016
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  • BibTeX
Hydrogen Flux Influence on Homo-Epitaxial 4H-SiC Doping Concentration Profile for High Power Application
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.197-200
2016
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Ni2Si/4H-SiC Schottky Photodiodes for Ultraviolet Light Detection
Materials science forum, 2016-05, Vol.858, p.1015-1018
2016
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  • BibTeX
Topographic and structural evolution of etched Si samples
Computational materials science, 2002-05, Vol.24 (1-2), p.246-251
2002
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  • BibTeX
Miniaturizable Si-based electro-optical modulator working at 1.5 μm
Applied physics letters, 2005-05, Vol.86 (20), p.201115-201115-3
2005
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  • BibTeX
Design, fabrication, and testing of an integrated Si-based light modulator
Journal of lightwave technology, 2003-01, Vol.21 (1), p.228-235
2003
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Quantitative determination of the clustered silicon concentration in substoichiometric silicon oxide layer
Applied physics letters, 2005-07, Vol.87 (4)
2005
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Experimental evidences of carrier distribution and behavior in frequency in a BMFET Modulator
IEEE transactions on electron devices, 2005-11, Vol.52 (11), p.2374-2378, Article 11
2005
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Quantitative determination of the clustered silicon concentrationin substoichiometric silicon oxide layer
Applied physics letters, 2005-07, Vol.87 (4), p.044102-044102-3
2005
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The influence of hydrogen and nitrogen on the formation of Si nanoclusters embedded in sub-stoichiometric silicon oxide layers
Microelectronics and reliability, 2007-04, Vol.47 (4), p.777-780
2007
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