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Demonstration of nonpolar a-plane InGaN/GaN light emitting diode on r-plane sapphire substrate
Applied physics letters, 2009-08, Vol.95 (7)
2009
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Effect of Refined Nitridation of Sapphire Substrates in Hydride Vapor Phase Epitaxy: Definite Correlation of Structural Characteristics between a Low-Temperature-Grown Buffer Layer and a Subsequent High-Temperature-Grown Layer of GaN
Journal of the Korean Physical Society, 2009, 54(6), , pp.2404-2408
2009
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A selective growth of III-nitride by MOCVD for a buried-ridge type structure
Journal of crystal growth, 2001-06, Vol.226 (1), p.73-78
2001
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Demonstration of nonpolar a -plane InGaN/GaN light emitting diodeon r -plane sapphire substrate
Applied physics letters, 2009-08, Vol.95 (7), p.071101-071101-3
2009
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Novel buffer layer for the growth of GaN on c-sapphire
Physica status solidi. C, 2006-06, Vol.3 (6), p.1388-1391
2006
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Effect of Refined Nitridation of Sapphire Substrates in Hydride Vapor Phase Epitaxy: Definite Correlation of Structural Characteristics between a Low-Temperature-Grown Buffer Layer and a Subsequent High-Temperature-Grown Layer of GaN
Journal of the Korean Physical Society, 2009-06, p.2404-2408
2009
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Structural Investigation of GaN Nanograins Nucleated on a Sapphire Substrate
Journal of the Korean Physical Society, 2006, 48(6), , pp.1321-1324
2006
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The Growth of ZnO on CrN Buffer Layer Using Surface Phase Control by Plasma Assisted Molecular-beam Epitaxy
MRS proceedings, 2006, Vol.957, Article 0957-K05-10
2006
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Inversion domains triggering recovery of luminescence uniformity in epitaxially lateral overgrown thick GaN film
Applied physics letters, 2000-12, Vol.77 (26), p.4319-4321
2000
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