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High Mobility Bilayer Metal-Oxide Thin Film Transistors Using Titanium-Doped InGaZnO
IEEE electron device letters, 2014-01, Vol.35 (1), p.87-89
2014
Open Access
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3C-SiC-induced peak emission intensity in photoluminescence spectrum of SiC/SiO2 core–shell nanowires using first-principles calculations
AIP advances, 2021-06, Vol.11 (6), p.065214-065214-7
2021
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Open Access
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Remarkably enhanced photovoltaic effects and first-principles calculations in neodymium doped BiFeO3
Scientific reports, 2017-03, Vol.7 (1), p.45164-45164, Article 45164
2017
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Electronic structure and optical properties of boron suboxide B6O system: First-principles investigations
Solid state communications, 2016-10, Vol.244, p.12-16
2016
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Ga-doping effects on electronic and structural properties of wurtzite ZnO
Physica. B, Condensed matter, 2004-06, Vol.349 (1), p.136-142
2004
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Ab initio simulations of defect-based magnetism: the case of CoSi nanowires
RSC advances, 2016-01, Vol.6 (28), p.23634-23639
2016
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Structural stability of thermoelectric diffusion barriers: Experimental results and first principles calculations
Applied physics letters, 2013-07, Vol.103 (5)
2013
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Unusual ferromagnetism in CoSi nanowires from internal and interfacial defects
Nanotechnology, 2015-02, Vol.26 (6), p.065707-065707
2015
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Open Access
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An Oxygen Gettering Scheme for Improving Device Mobility and Subthreshold Swing of InGaZnO-Based Thin-Film Transistor
IEEE transactions on nanotechnology, 2014-09, Vol.13 (5), p.933-938
2014
Open Access
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Electronic structure and magnetic moments of 3d transition metal-doped ZnO
Journal of magnetism and magnetic materials, 2004-11, Vol.282 (1), p.275-278
2004
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Structural stability of diffusion barriers in thermoelectric SbTe: From first-principles calculations to experimental results
Journal of alloys and compounds, 2014-03, Vol.588, p.633-637
2014
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Nanoscaled interfacial oxide layers of bonded n - and p -type GaAs wafers
Applied physics letters, 2006-04, Vol.88 (17), p.172104-172104-3
2006
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Anomalous electrical performance of nanoscaled interfacial oxides for bonded n-GaAs wafers
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (11)
2006
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Open Access
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Correction: Ab initio simulations of defect-based magnetism: the case of CoSi nanowires
RSC advances, 2016-03, Vol.6 (33), p.27466-27466
2016
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Unusual ferromagnetism in CoSi nanowires from internal and interfacial defects
Nanotechnology, 2015-02, Vol.26 (6), p.1-7
2015
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Remarkably enhanced photovoltaic effects and first-principles calculations in neodymium doped BiFeO 3
Scientific reports, 2017-03, Vol.7, p.45164
2017
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Ab initio simulations of defect-based magnetism: the case of CoSi nanowiresElectronic supplementary information (ESI) available. See DOI: 10.1039/c5ra21631a
2016-03
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First-principles calculations of the electronic band structure of In 4 Sn 3 O 12 and In 5 SnSbO 12
Journal of applied physics, 2006-01, Vol.99 (2), p.023706-023706-4
2006
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First-principles calculations of the electronic band structure of In4Sn3O12 and In5SnSbO12
Journal of applied physics, 2006-01, Vol.99 (2)
2006
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Anomalous electrical performance of nanoscaled interfacialoxides for bonded n - GaAs wafers
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (11), p.112112-112112-3
2006
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Electronic structure and magnetic moments of 3d transition metal-doped ZnO
Journal of magnetism and magnetic materials, 2004-11, Vol.282, p.275-278
2004
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