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Luminescence Properties of FZ Silicon Irradiated with Swift Heavy Ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-11, Vol.53 (11), p.1427-1430
2019
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Quantum Size Effects in Germanium Nanocrystals and Amorphous Nanoclusters in GeSixOy Films
Physics of the solid state, 2020-03, Vol.62 (3), p.492-498
2020
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Atomic Structure and Optical Properties of CaSi2 Layers Grown on CaF2/Si Substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-10, Vol.55 (10), p.808-811
2021
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Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in a-Si:H/SiO2 multilayer heterostructures
Materials research express, 2017-08, Vol.4 (8)
2017
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Formation of light-emitting Si nanostructures in SiO2 by pulsed anneals
Nanotechnology, 2008-09, Vol.19 (35), p.355305-355305 (5)
2008
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Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in stoichiometric SiO2 layers
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2012-07, Vol.282, p.68-72
2012
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Light-emitting Si nanostructures formed in silica layers by irradiation with swift heavy ions
Applied physics. A, Materials science & processing, 2010-03, Vol.98 (4), p.873-877
2010
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Effect of boron ion implantation and subsequent anneals on the properties of Si nanocrystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2006-01, Vol.40 (1), p.72-78
2006
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Formation of light-emitting defects in silicon by swift heavy ion irradiation and subsequent annealing
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2023-02, Vol.535, p.132-136
2023
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Electronic structure of silicon oxynitride films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition for memristor application
Journal of non-crystalline solids, 2022-12, Vol.598, p.121925, Article 121925
2022
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Optical properties of GeO[SiO] and GeO[SiO2] solid alloy layers grown at low temperature
Optical materials, 2021-12, Vol.122, p.111736, Article 111736
2021
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Infrared photoluminescence from GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloy layers irradiated with swift heavy Xe ions
Journal of luminescence, 2020-07, Vol.223, p.117238, Article 117238
2020
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Effect of pressure annealing on formation of light-emitting Si nanocrystals in Si rich SiO2
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2009-01, Vol.206 (1), p.78-83
2009
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Light-emitting defects formed in GeO/SiO2 heterostructures with assistance of swift heavy ions
Journal of luminescence, 2019-03, Vol.207, p.209-212
2019
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IR Photoluminescence of Silicon Irradiated with High-Energy Xe Ions after Annealing
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2022-12, Vol.58 (6), p.633-642
2022
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Implantation of P ions in SiO2 layers with embedded Si nanocrystals
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2004-08, Vol.222 (3-4), p.497-504
2004
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Effect of the ion-energy loss rate on defect formation during implantation in silicon nanocrystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008, Vol.42 (9), p.1127-1131
2008
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Atomic Structure and Optical Properties of CaSi.sub.2 Layers Grown on CaF.sub.2/Si Substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-10, Vol.55 (10), p.808
2021
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Quantum Size Effects in Germanium Nanocrystals and Amorphous Nanoclusters in GeSi.sub.xO.sub.y Films
Physics of the solid state, 2020-03, Vol.62 (3), p.492
2020
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Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in a-Si:H/SiO 2 multilayer heterostructures
Materials research express, 2017-08, Vol.4 (8), p.85001
2017
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Formation of silicon nanocrystals in Si—SiO2—α-Si—SiO2 heterostructures during high-temperature annealing: Experiment and simulation
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2016-09, Vol.52 (5), p.486-495
2016
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Light-emitting Si nanostructures formed in silica layers by irradiation with swift heavy ions
Applied physics. A, Materials science & processing, 2010, Vol.98 (4), p.873-877
2010
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Coulomb blockade of the conductivity of SiOx films due to one-electron charging of a silicon quantum dot in a chain of electronic states
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005-01, Vol.39 (8), p.910-916
2005
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Phase separation as a basis for the formation of light-emitting silicon nanoclusters in SiOx films irradiated with swift heavy ions
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2014-05, Vol.50 (3), p.292-297
2014
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Formation of light-emitting Si nanostructures in SiO(2) by pulsed anneals
Nanotechnology, 2008-09, Vol.19 (35), p.355305-355305
2008
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